[發(fā)明專利]一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動(dòng)垂直刻蝕儀

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410272232.2
• 申請(qǐng)日: 2014-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN104078377A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 華佑南;李曉旻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 勝科納米（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/306
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種刻蝕儀，特別是一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動(dòng)垂直刻蝕儀。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體晶片圓盤制造中，硅基片上硅晶體缺陷直接影響到晶圓制造的產(chǎn)率。所以在一般的失效分析中，WRIGHT刻蝕方法常常被用作晶圓基片上硅晶體缺陷的刻劃和分析，并以硅晶體缺陷的晶格、晶相、形狀和大小以判斷硅晶體缺陷的導(dǎo)因。在實(shí)際失效分析應(yīng)用過程中，一般都采用小片樣品，因?yàn)檫@樣做容易去除刻蝕垃圾。但是，很多情況下，晶圓制造工程師希望用大片樣品，并要求對(duì)整片晶圓來(lái)刻劃和分析硅晶體缺陷，以便他們對(duì)晶片各部位的硅晶體缺陷的呈現(xiàn)與否進(jìn)行比較。

目前還沒有自動(dòng)刻蝕分析儀器在失效分析實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用，對(duì)整片晶圓硅晶體缺陷的刻劃和分析，采用的傳統(tǒng)方法是在一個(gè)選定的塑料容器內(nèi)進(jìn)行水平式刻劃，但面臨刻劃過程中刻蝕垃圾無(wú)法去除、刻蝕垃圾堆積在樣品上、繼而在用WRIGHT刻蝕液刻劃硅晶體缺陷時(shí)引入人工缺陷假象的棘手問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動(dòng)垂直刻蝕儀，包括：機(jī)殼1，其上設(shè)置有控制面板2，所述控制面板2的相對(duì)一側(cè)設(shè)置有升降控制鍵3；刻蝕槽，包括第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5，所述第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5分別對(duì)稱設(shè)置于刻蝕機(jī)械支架的兩側(cè)，所述刻蝕槽為垂直式；刻蝕機(jī)械支架，其設(shè)置在所述機(jī)殼1上，位于所述第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5的上方正中央；所述刻蝕機(jī)械支架包括水平移動(dòng)支架和晶圓樣品支架8，所述水平移動(dòng)支架包括滑軌6以及能沿著滑軌6前后水平移動(dòng)的滑塊7，所述晶圓樣品支架8連接于所述滑塊7的兩側(cè)，晶圓樣品懸掛在所述晶圓樣品支架8的垂直臂上并分別插入至第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5內(nèi)；所述滑塊7與升降裝置9相連接，用于升降所述刻蝕機(jī)械支架進(jìn)行晶圓樣品的放置和取下。

優(yōu)選地，所述滑塊7的前后水平移動(dòng)距離為1～2cm。

本發(fā)明的有益效果是：通過對(duì)整片晶圓基片采用垂直懸掛式刻劃方式，以及自動(dòng)水平移動(dòng)功能，通過重力作用有效去除樣品刻蝕后的垃圾，克服了傳統(tǒng)水平式刻劃中刻蝕垃圾無(wú)法去除而堆積于樣品上，從而造成人工缺陷假象，大大提高了硅晶體缺陷刻劃和顯現(xiàn)的準(zhǔn)確性；且通過所述的雙槽設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)了快速刻劃半導(dǎo)體整片晶圓基片上的硅晶體缺陷，提高了失效分析的快速性和半導(dǎo)體晶圓制造的產(chǎn)率；所述垂直刻蝕儀還具有操作簡(jiǎn)便、快速和效率高的優(yōu)點(diǎn)。

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附圖說明

圖1是本發(fā)明所述整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動(dòng)垂直刻蝕儀的結(jié)構(gòu)示意圖。

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具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。

如圖所示，本發(fā)明公開本發(fā)明公開一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動(dòng)垂直刻蝕儀，包括：機(jī)殼1，其上設(shè)置有控制面板2，所述控制面板2的相對(duì)一側(cè)設(shè)置有升降控制鍵3；刻蝕槽，包括第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5，所述第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5分別對(duì)稱設(shè)置于刻蝕機(jī)械支架的兩側(cè)，所述刻蝕槽為垂直式；刻蝕機(jī)械支架，其設(shè)置在所述機(jī)殼1上，位于所述第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5的上方正中央；所述刻蝕機(jī)械支架包括水平移動(dòng)支架和晶圓樣品支架8，所述水平移動(dòng)支架包括滑軌6以及能沿著滑軌6前后水平移動(dòng)的滑塊7，所述晶圓樣品支架8連接于所述滑塊7的兩側(cè)，晶圓樣品懸掛在所述晶圓樣品支架8的垂直臂上并分別插入至第一刻蝕槽4和第二刻蝕槽5內(nèi)；所述滑塊7與升降裝置9相連接，用于升降所述刻蝕機(jī)械支架進(jìn)行晶圓樣品的放置和取下。

優(yōu)選地，所述滑塊7的前后水平移動(dòng)距離為1～2cm。

下面具體講述本發(fā)明所述的一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動(dòng)垂直刻蝕儀的工作過程。

實(shí)施例1