[發明專利]一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動垂直刻蝕儀在審

申請號：	201410272232.2	申請日：	2014-06-18
公開（公告）號：	CN104078377A	公開（公告）日：	2014-10-01
發明（設計）人：	華佑南;李曉旻	申請（專利權）人：	勝科納米（蘇州）有限公司
主分類號：	H01L21/66	分類號：	H01L21/66;H01L21/306
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	215000 江蘇省蘇州市工業園***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動垂直刻蝕
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【權利要求書】：

1.一架整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動垂直刻蝕儀，其特征在于，包括：

機殼（1），其上設置有控制面板（2），所述控制面板（2）的相對一側設置有升降控制鍵（3）；?

刻蝕槽，包括第一刻蝕槽（4）和第二刻蝕槽（5），所述第一刻蝕槽（4）和第二刻蝕槽（5）分別對稱設置于刻蝕機械支架的兩側，所述刻蝕槽為垂直式；

刻蝕機械支架，其設置在所述機殼（1）上，位于所述第一刻蝕槽（4）和第二刻蝕槽（5）的上方正中央；所述刻蝕機械支架包括水平移動支架和晶圓樣品支架（8），所述水平移動支架包括滑軌（6）以及能沿著滑軌（6）前后水平移動的滑塊（7），所述晶圓樣品支架（8）連接于所述滑塊（7）的兩側，晶圓樣品懸掛在所述晶圓樣品支架（8）的垂直臂上并分別插入至第一刻蝕槽（4）和第二刻蝕槽（5）內；所述滑塊（7）與升降裝置（9）相連接，用于升降所述刻蝕機械支架進行晶圓樣品的放置和取下。

2.根據權利要求1所述的整片晶圓基片上硅晶體缺陷自動垂直刻蝕儀，其特征在于：所述滑塊（7）的前后水平移動距離為1～2cm。

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