[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410270479.0
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN104241287B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 宋泰中;樸在浩;白康鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8239
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;戴嵩瑋

本發明公開了一種半導體裝置。該半導體裝置包括在基底上彼此相鄰的第一存儲單元區域和第二存儲單元區域。至少一個有源基體和一個淺溝槽隔離件可以順序地層疊在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界處。第一有源鰭和第二有源鰭形成在淺溝槽隔離件的相應的側面上，第一有源鰭和第二有源鰭從有源基體突出。至少一個深溝槽隔離件形成在有源基體的一個側面上。

于2013年6月21日提交的名稱為“Semiconductor Device and Method ForFabricating The Same(半導體裝置及其制造方法)”的第10-2013-0071803號韓國專利申請其全部內容通過引用包含于此。

技術領域

在此描述的一個或更多個實施例涉及一種半導體裝置。

背景技術

為了滿足各種程序、應用和功能的操作要求，已經開發出以相對較快的速度和較低的電壓操作的半導體裝置。另外，已經開發出用來制造這些裝置的工藝以改善可靠性和完整性。

在某些情況下，改善的完整性會導致在場效應晶體管(FET)中發生短溝道效應。在試圖克服該效應方面，已經開發出所謂的鰭式場效應晶體管(FinFET)。這些類型的晶體管具有呈三維(3D)空間結構的溝道。

發明內容

根據一個或更多個實施例，一種半導體裝置包括：第一存儲單元區域和第二存儲單元區域，在基底上彼此相鄰；至少一個有源基體和一個淺溝槽隔離件，順序地層疊在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界處；第一有源鰭和第二有源鰭，位于淺溝槽隔離件的相應的側面上，第一有源鰭和第二有源鰭從有源基體突出；至少一個深溝槽隔離件，位于有源基體的一個側面上。有源基體的寬度可以大于第一有源鰭和第二有源鰭中的每個的寬度。

半導體裝置可以包括多個有源基體，其中，第一有源鰭和第二有源鰭可以通過淺溝槽隔離件分開，其中，所述多個有源鰭中的至少兩個可以通過深溝槽隔離件分開。

半導體裝置可以包括柵電極，其中，第一有源鰭和第二有源鰭可以沿著第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界在第一方向上延伸，其中，柵電極可以在與第一方向交叉的第二方向上從第一有源鰭和第二有源鰭延伸。

柵極絕緣膜可以位于柵電極與第一有源鰭和第二有源鰭之間，分隔件可以位于柵電極的至少一個側面上，其中，柵極絕緣膜可以沿著分隔件的側壁延伸。柵電極可以包括柵極金屬和功函數金屬。

半導體裝置可以包括分別形成在與柵電極相鄰的第一有源鰭和第二有源鰭上的源區和漏區，其中，源區的上表面和漏區的上表面可以比柵極絕緣膜的下表面高。源區和漏區中的至少一個的一部分可以延伸到分隔件的下部中。

基底可以為絕緣基底。可以在第一存儲單元區域中和第二存儲單元區域中包括同一類型的存儲器件。存儲器件可以包括靜態隨機存取存儲器。

根據另一實施例，一種半導體裝置包括：第一存儲單元區域和第二存儲單元區域，彼此相鄰地布置在基底上；奇數個有源鰭，分別形成在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中；多個有源基體，位于所述奇數個有源鰭的下部處的基底上，每個有源基體的寬度大于所述奇數個有源鰭中的每個的寬度，其中，第一存儲單元區域和第二存儲單元區域共用至少一個有源基體。

半導體裝置可以包括：淺溝槽隔離件，位于第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界處；深溝槽隔離件，在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中布置在至少兩個有源基體之間。所述奇數個有源鰭可以通過淺溝槽隔離件相互分離，相鄰的有源鰭可以通過深溝槽隔離件相互分離。