[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410270479.0
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN104241287B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 宋泰中;樸在浩;白康鉉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8239
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;戴嵩瑋

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

第一存儲單元區域和第二存儲單元區域，在基底上彼此相鄰；

至少一個有源基體和一個淺溝槽隔離件，順序地層疊在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界處；

第一有源鰭和第二有源鰭，分別位于淺溝槽隔離件的相應的側面上，第一有源鰭和第二有源鰭從共用的有源基體突出；以及

至少一個深溝槽隔離件，位于有源基體的一個側面上，

其中，在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中的每個儲存單元區域中布置奇數個有源鰭。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，有源基體的寬度大于第一有源鰭和第二有源鰭中的每個的寬度。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，有源基體的個數為多個，

其中，第一有源鰭和第二有源鰭通過淺溝槽隔離件分開，其中，所述多個有源基體中的至少兩個通過深溝槽隔離件分開。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括柵電極，

其中，第一有源鰭和第二有源鰭沿著第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界在第一方向上延伸，其中，柵電極在與第一方向交叉的第二方向上從第一有源鰭和第二有源鰭延伸。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

柵極絕緣膜，位于柵電極與第一有源鰭和第二有源鰭之間；以及

分隔件，位于柵電極的至少一個側面上，其中，柵極絕緣膜沿著分隔件的側壁延伸。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，柵電極包括柵極金屬和功函數金屬。

7.如權利要求5所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

源區和漏區，分別形成在與柵電極相鄰的第一有源鰭和第二有源鰭上，其中，源區的上表面和漏區的上表面比柵極絕緣膜的下表面高。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中，源區和漏區中的至少一個的一部分延伸到分隔件的下部中。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，基底為絕緣基底。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中包括同一類型的存儲器件。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其中，存儲器件包括靜態隨機存取存儲器。

12.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

第一存儲單元區域和第二存儲單元區域，彼此相鄰地布置在基底上；

奇數個有源鰭，分別形成在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中；以及

多個有源基體，位于所述奇數個有源鰭的下部處的基底上，每個有源基體的寬度大于所述奇數個有源鰭中的每個的寬度，其中，第一存儲單元區域和第二存儲單元區域共用至少一個有源基體。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

淺溝槽隔離件，位于第一存儲單元區域和第二存儲單元區域之間的邊界處；以及

深溝槽隔離件，在第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中布置在至少兩個有源基體之間。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，其中：

所述奇數個有源鰭通過淺溝槽隔離件相互分離，

相鄰的有源基體通過深溝槽隔離件相互分離。

15.如權利要求12所述的半導體裝置，其中，靜態隨機存取存儲器器件位于第一存儲單元區域和第二存儲單元區域中。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其中，靜態隨機存取存儲器器件包括八個晶體管。