[發明專利]JFET器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410269945.3
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN104518034B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 寧開明;金鋒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/808
• 分類號: H01L29/808;H01L21/337;H01L29/06;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種JFET器件，其特征在于：

JFET器件包括漂移區和體區，所述漂移區和所述體區橫向接觸；

所述漂移區由形成于第一導電類型摻雜的襯底上的第二導電類型摻雜的第一深阱區組成；漏區由形成于所述第一深阱區的選定區域中的第二導電類型重摻雜區組成；在所述漏區的頂部引出漏極；

所述體區包括第二導電類型摻雜的第二深阱區和溝道區，在所述第二深阱區的選定區域中形成有由第二導電類型重摻雜區組成的源區；在所述源區的頂部引出源極；

所述溝道區位于所述第一深阱區和所述第二深阱區之間且所述溝道區的兩側分別與所述第一深阱區和所述第二深阱區中的一個橫向接觸；所述源區和所述漏區分別和所述溝道區相隔一段距離；

所述溝道區包括兩個以上第二導電類型摻雜的第三深阱區，相鄰兩個所述第三深阱區之間的區域為間隔區，各所述間隔區的寬度相等，各所述間隔區為第二導電類型摻雜且該第二導電類型摻雜雜質由相鄰的所述第三深阱區的擴散過來的第二導電類型雜質組成；所述第一深阱區、所述第二深阱區和所述第三深阱區的工藝條件相同，所述溝道區的最外側的兩個所述第三深阱區分別和所述第一深阱區和所述第二深阱區中的一個橫向接觸；

通過調節所述第三深阱區的雜質濃度、各所述間隔區的寬度和數量來調節所述JFET器件的夾斷電壓；

柵極區由所述襯底或者形成于所述溝道區頂部的第一導電類型阱區組成，在縱向上所述柵極區將所述溝道區覆蓋，所述溝道區的所述第三深阱區和所述間隔區都被所述柵極區覆蓋，在所述柵極區表面的選定區域中形成有第一導電類型重摻雜的柵極引出區；通過所述柵極引出區頂部引出柵極。

2.如權利要求1所述JFET器件，其特征在于：在所述溝道區和所述漏區之間的所述第一深阱區的頂部形成有場氧隔離區。

3.如權利要求2所述JFET器件，其特征在于：在所述場氧隔離區的底部的所述第一深阱區表面形成有第一導電類型摻雜的反型注入層。

4.如權利要求3所述JFET器件，其特征在于：當所述柵極區中包括所述第一導電類型阱區時，在所述第一導電類型阱區中形成有所述反型注入層；當所述柵極區僅由所述襯底組成時，在所述溝道區中形成有所述反型注入層，所述溝道區中的所述反型注入層為懸浮結構、或者所述溝道區中的所述反型注入層和所述襯底連接在一起。

5.如權利要求2或3所述JFET器件，其特征在于：在所述場氧隔離區的靠近所述漏區一側的表面形成有漏端多晶硅場板。