[發明專利]一種表面活性劑廢水處理系統及工藝

有效

• 申請號: 201410269136.2
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN104086041A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 李家祥;余澤強;王亞丹
• 申請（專利權）人: 南京綠島環境工程有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 朱慶華

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技術領域

本發明涉及廢水處理領域，尤其涉及一種表面活性劑廢水處理系統及工藝。

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背景技術

表面活性劑生產廢水具有高鹽、高LAS、高COD的特點，直接排放會對水體及附近生態環境產生影響。現有的大多數表面活性劑廢水處理工藝，例如：

（1）調節池→絮凝沉淀→一級接觸氧化→絮凝沉淀→二級接觸氧化→排放；

（2）格柵→調節→絮凝反應→初沉→水解酸化→接觸氧化→砂濾→排放；

經上述工藝處理廢水時，絮凝反應對LAS去除率不夠，導致后續生化池中的填料被清洗難以掛膜并產生大量泡沫，同時廢水含鹽量在10000~80000mg/L波動導致普通生化處理不能正常進行，因此整套處理流程對廢水處理效果不佳，出水很難達到《污水綜合排放標準》GB8978-1996一級排放標準，即COD＝100mg/L、LAS＝5mg/L。

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發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術中表面活性劑廢水處理效果不佳、出水難達標等上述缺陷，提供一種簡單、成本低廉、處理效果好且不會產生二次污染的一種表面活性劑廢水處理系統及工藝。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案如下：

一種表面活性劑廢水處理系統，包括污泥池、濃縮池、壓濾機房及依次相互連通的曝氣調節池、預處理混凝沉淀池、中和曝氣池、水解池、一級好氧CBR池、中間沉淀池、高級氧化沉淀池和二級氧化接觸池；

曝氣調節池的入水口連接有濃水池、混合水池和雨污池；

水解池、一級好氧CBR池、二級氧化接觸池、預處理混凝沉淀池和高級氧化沉淀池的排泥口均與污泥池的入口連通，且污泥池的出口、濃縮池和壓濾機房依次相連；

中間沉淀池的排泥口通過污泥回流管道與一級好氧CBR池連通。

本發明所述表面活性劑廢水處理系統包括污泥池、濃縮池、壓濾機房及依次相互連通的曝氣調節池、預處理混凝沉淀池、中和曝氣池、水解池、一級好氧CBR池、中間沉淀池、高級氧化沉淀池和二級氧化接觸池；其中，曝氣調節池的入水口連接有濃水池、混合水池和雨污池，中間沉淀池的排泥口通過污泥回流管道與一級好氧CBR池連通，水解池、一級好氧CBR池、二級氧化接觸池、預處理混凝沉淀池和高級氧化沉淀池的排泥口均與污泥池的入口連通，且污泥池的出口、濃縮池和壓濾機房依次相連，結構十分簡單。

鑒于表面活性劑廢水具有水量、COD濃度、LAS濃度及鹽分等排放不均勻的特點，本發明所述表面活性劑廢水處理系統中，特意設置曝氣調節池，該曝氣調節池不僅能調節水量，還能通過曝氣混勻水質并氧化亞硫酸鹽，以保證后續處理工藝的穩定運行。

本發明所述表面活性劑廢水處理系統中，預處理混凝沉淀池用于去除廢水中的COD和LAS，中和曝氣池用于進一步氧化亞硫酸鹽并調節混合廢水的pH值，水解池用于對混合廢水進行水解，一級好氧CBR池用于進行好氧去除反應以進一步去除混合廢水中的COD和LAS，中間沉淀池主要用于進行沉淀反應，且將其中的泥水混合物通過污泥回流管道回流至一級好氧CBR池中；高級氧化沉淀池主要用于對混合廢水進行Fenton氧化反應，進一步去除COD和LAS；二級氧化接觸池對混合廢水進行好氧反應，進一步去除廢水中可能殘留的小分子有機物，以保證最終出水達標；由此證明，本發明采用了強化的水解-好氧生化組合工藝，先通過水解作用將大分子有機物水解為小分子以提高廢水的可生化性，再通過耐鹽好氧CBR工藝去除了大部分有機物質和LAS，大大降低了后續處理的難度；除此之外，本發明對一級好氧生化出水中仍然無法去除的LAS及COD采用高級氧化工藝，再加上高級氧化沉淀池內的Fenton氧化反應，可極大程度地去除廢水中剩余的LAS和COD，出水COD及LAS值基本達標，大大提高了處理效果，且成本低廉。

另外，在本發明所述表面活性劑廢水處理系統中，水解池、一級好氧CBR池、二級氧化接觸池、預處理混凝沉淀池和高級氧化沉淀池的排污口均與污泥池的入口連通，且污泥池的出口、濃縮池和壓濾機房依次相連，這樣的設計使得廢水處理過程中產生的污泥依次通過濃縮池的濃縮、壓濾機房的壓濾最終成為可以外運的干泥，不僅使得整個廢水處理過程不會造成二次污染，而且還在一定程度上創造了經濟價值，有利于減輕廢水處理的成本。

作為對本發明所述技術方案的一種改進，二級氧化接觸池的出口連接有巴歇爾槽。在二級氧化接觸池的出口設置巴歇爾槽以測量出水的流量，避免了人工測量，有助于降低人力成本，且還提高了測量精度。