[發明專利]高吸收率太陽能薄膜

有效

• 申請號: 201410268647.2
• 申請日: 2014-06-17
• 公開（公告）號: CN104051553A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 齊紅基;王虎;王斌;王胭脂;易葵
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/028
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 張澤純

技術領域

本發明涉及太陽能，特別是一種高吸收率太陽能薄膜。

背景技術

太陽能作為清潔能源已經從軍事領域、航天領域進入工業、商業、農業、通信、家用電器以及公用設施等領域。根據所用的材料，太陽能電池可分為：硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池、有機太陽能電池、塑料太陽能電池。通常情況下，太陽能電池包括導電層、緩沖層、吸收層、導電層及減反射層等組成。硅基太陽能包括單晶(參見CN103227238A，CN20355965A，CN202977492U，CN103107233A，CN103000718A)、多晶(參見CN103383970A，CN202977431A)及非晶(參見CN202651133U，CN203026541U，CN102983204A)材料，多元化合物薄膜包含碲化鎘(參見CN201503863U，CN103681932A)，Cu2ZnSnS4(CN103715282A),銅銦錫層(參見CN203503667U，CN103531663A)，CZTSSe(參見CN103403851A)等，提高吸收層的吸收效率則可以提高太陽能電池的效率。

發明內容

本發明要解決的技術問題提供一種高吸收率太陽能薄膜，該太陽能薄膜可見光波段吸收率大于94％，紅外波段的發射率小于10％。

本發明是通過以下技術方案來實現的：

一種高吸收率太陽能薄膜，其特點在于包括薄膜襯底和高吸收率太陽能薄膜的多層膜，所述的高吸收率太陽能薄膜的多層膜包括四種膜層:AlN膜層、Si膜層、HfO₂膜層和SiO₂膜層共34層，在所述的薄膜襯底上依次的膜系結構為：

膜層材料厚度(nm)膜層材料厚度(nm)1AlN1638.921AlN59.22Si1239.922Si1561.83AlN146.823AlN21.74Si153.524Si1557.2