[發明專利]殼體及其制造方法、以及電子設備在審
| 申請號: | 201410268417.6 | 申請日: | 2008-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN104023469A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | 本田朋子;高橋不二男 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H01Q1/24;H01Q1/40;H04M1/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 殼體 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種電子設備,其特征在于,具有:設有凹部的成型體;以埋入所述凹部內的方式設置的導電層;和保護膜,該保護膜被設置成至少覆蓋所述成型體表面上設有所述凹部的表面中的所述凹部的非形成區域和所述導電層表面,
所述導電層具有導電性糊劑和設置在所述導電性糊劑上的鍍覆層。
2.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述導電層具有與所述凹部深度大致相同的厚度。
3.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述導電層在所述凹部的底面上以接觸的方式形成。
4.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述導電層為天線。
5.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述保護膜在所述非形成區域與所述導電層的所述表面之間大致平坦地延伸。
6.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述成型體具有:第一成型體、和形成在所述第一成型體上且形成有貫通的開口部的第二成型體。
7.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,具有:與所述成型體以形成內部空間的方式組合的殼體、和設置于所述內部空間的電路,
所述導電層與所述電路電連接。
8.根據權利要求7所述的電子設備,其特征在于,所述電路包含供電線或電容耦合元件,
通過所述供電線或所述電容耦合元件給所述導電層供電。
9.一種電子設備的制造方法,其特征在于,包括:
在成型體上形成凹部的工序;
以埋入所述凹部內的方式形成包含導電性糊劑和設置在所述導電性糊劑上的鍍覆層的導電層的工序;以及
以至少覆蓋所述成型體表面上設有所述凹部的表面中的所述凹部的非形成區域和所述導電層表面的方式設置保護膜的工序。
10.根據權利要求9所述的電子設備的制造方法,其特征在于,所述導電層設置成與所述凹部深度大致相同的厚度。
11.根據權利要求9所述的電子設備的制造方法,其特征在于,所述導電層在所述凹部的底面上以接觸的方式形成。
12.根據權利要求9所述的電子設備的制造方法,其特征在于,所述導電層為天線。
13.根據權利要求9所述的電子設備的制造方法,其特征在于,所述保護膜在所述非形成區域與所述導電層的所述表面之間大致平坦地延伸。
14.根據權利要求9所述的電子設備的制造方法,其特征在于,所述成型體具有:第一成型體、和形成在所述第一成型體上且形成有貫通的開口部的第二成型體。
15.根據權利要求9所述的電子設備的制造方法,其特征在于,進一步具有:在內部空間配置電路,組合所述成型體與殼體的工序,
所述導電層與所述電路電連接。
16.根據權利要求15所述的電子設備的制造方法,其特征在于,所述電路包含供電線或電容耦合元件,
通過所述供電線或所述電容耦合元件給所述導電層供電。
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