[發明專利]發光器件和照明系統

有效

• 申請號: 201410264527.5
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104241481B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 崔恩實
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,彭鯤鵬

技術領域

本實施方案涉及發光器件、制造該發光器件的方法、發光器件封裝件以及照明系統。

背景技術

發光器件(LED)包括具有使電能轉換成光能的特性的p-n結二極管。p-n結二極管可以通過組合周期表的第III-V族元素來形成。發光器件通過調整化合物半導體的組成比可以表現各種顏色。

當正向電壓施加于LED時，n層的電子與p層的空穴結合，使得可以生成與導帶和價帶之間的能隙對應的能量。該能量主要實現為熱或光，并且LED將該能量作為光發射。

例如，氮化物半導體表現出優異的熱穩定性和寬帶隙能量，使得氮化物半導體在光學器件和高功率電子器件領域已引起關注。特別地，已經開發并且廣泛使用了采用氮化物半導體的藍光、綠光、紫外光發光器件。

根據相關技術，使用基于蝕刻的表面紋理化以改進光提取效率。然而，器件的可靠性和發光效率由于由蝕刻造成的對GaN外延層的損壞而降低。

此外，基于蝕刻的表面紋理化使再現性劣化。

發明內容

本實施方案提供了一種能夠改進光提取效率同時維持器件的可靠性的發光器件、制造該發光器件的方法、發光器件封裝件以及照明系統。

根據本實施方案，提供了一種發光器件，其包括：第一電極層(87)；在第一電極層(87)上的第二導電半導體層(13)；在第二導電半導體層(13)上的有源層(12)；在有源層(12)上的第一導電半導體層(11)；在第一導電半導體層(11)上的Al_yGa_1-yN層(16)(其中，0＜y≤1)；在Al_yGa_1-yN層(16)上的In_xGa_1-xN圖案(15)(其中，0＜x≤1)；在In_xGa_1-xN圖案(15)上的氮化鎵半導體層(14)；以及在氮化鎵半導體層(14)上的焊盤電極(81)。

根據本實施方案，提供了一種發光器件，其包括：襯底(5)；在襯底(5)上的氮化鎵半導體層(14)；在氮化鎵半導體層(14)上的In_xGa_1-xN圖案(15)(其中，0＜x≤1)；在In_xGa_1-xN圖案(15)上的Al_yGa_1-yN層(16)(其中，0＜y≤1)；在Al_yGa_1-yN層(16)上的第一導電半導體層(11)；在第一導電半導體層(11)上的有源層(12)；以及在有源層(12)上的第二導電半導體層(13)。

根據本實施方案，提供了一種照明系統，其包括發光單元，該發光單元包括發光器件。

本實施方案可以提供能夠改進光提取效率同時維持器件的可靠性的發光器件、制造該發光器件的方法、發光器件封裝件以及照明系統。

附圖說明

圖1是示出了根據第一實施方案的發光器件的截面圖。

圖2是示出了根據第二實施方案的發光器件的截面圖。

圖3至圖5是示出了根據實施方案的發光器件的制造過程的截面圖。

圖6是示出了根據實施方案的發光器件封裝件的截面圖。

圖7是示出了包括根據實施方案的發光器件的照明系統的實施例立體分解圖。

具體實施方式

下文中，將參照附圖描述根據本實施方案的發光器件、發光器件封裝件以及照明系統。

在實施方案的描述中，要理解的是，當層(或膜)被稱為在另一層或襯底“上”時，它可以直接在另一層或襯底上，或者也可以存在有中間層。此外，要理解的是，當層被稱為在另一層“下”時，它可以直接在另一層下，并且也可以存在有一個或更多個中間層。此外，還要理解的是，當層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是這兩個層之間唯一的層，或者也可以存在有一個或更多個中間層。

(實施方案)

圖1是示出了根據第一實施方案的發光器件100的截面圖。