[發明專利]發光器件和照明系統

有效

• 申請號: 201410264527.5
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104241481B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 崔恩實
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,彭鯤鵬

1.一種發光器件，包括：

第一電極層；

在所述第一電極層上的第二導電半導體層；

在所述第二導電半導體層上的有源層；

在所述有源層上的第一導電半導體層；

在所述第一導電半導體層上的Al_yGa_1-yN層，其中，0＜y≤1；

在所述Al_yGa_1-yN層上的In_xGa_1-xN圖案，其中，0＜x≤1；

在所述In_xGa_1-xN圖案上的氮化鎵半導體層；以及

在所述氮化鎵半導體層上的焊盤電極，

其中所述In_xGa_1-xN圖案是螺旋生長的并且包括向下凸出的部分，

其中所述Al_yGa_1-yN層包括沿所述In_xGa_1-xN圖案的表面向下凸出的部分。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述Al_yGa_1-yN層包括AlN層/GaN層的超晶格結構。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述Al_yGa_1-yN層包括AlGaN層/GaN層的超晶格結構。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述In_xGa_1-xN圖案由具有漸變折射率的多個層形成。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述In_xGa_1-xN圖案具有分離的島的形狀。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一電極層包括歐姆接觸圖案和反射層。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其中，所述歐姆接觸圖案置于所述反射層與所述第二導電半導體層之間。

8.根據權利要求6所述的發光器件，其中，所述歐姆接觸圖案與所述第二導電半導體層接觸。

9.根據權利要求6所述的發光器件，其中，所述反射層與所述Al_yGa_1-yN層豎直交疊。

10.根據權利要求6所述的發光器件，其中，所述反射層與所述In_xGa_1-xN圖案豎直交疊。

11.根據權利要求1所述的發光器件，還包括在所述第一導電半導體層的底部上的光傳遞溝道層。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述光傳遞溝道層與In_xGa_1-xN圖案豎直交疊，其中，0＜x≤1。

13.根據權利要求11所述的發光器件，還包括在所述第一導電半導體層下的支承構件，以及

設置在所述光傳遞溝道層的側面和所述支承構件的側面處的反射部。

14.根據權利要求13所述的發光器件，其中所述反射部的頂表面設置在所述In_xGa_1-xN圖案和所述光傳遞溝道層之間，其中，0＜x≤1。