[發(fā)明專利]一種顯示基板的維修方法和維修裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410264221.X
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104143536B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閆龍;錢志禹;朱石林;祝道成;朱國富;呂超;孫勇
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;G02F1/1362
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板的維修方法和維修裝置。

背景技術(shù)

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)陣列基板是在玻璃基板上形成陣列電路，在陣列電路形成以后或在形成過程中，需要對形成工藝進(jìn)行檢測。如果檢測結(jié)果表明產(chǎn)品中存在不良，則需要對存在不良處進(jìn)行維修。

目前在TFT-LCD生產(chǎn)工藝中，比較常見的維修方法有激光切割法(Cut Repair)和金屬沉積法(CVD Repair)。激光切割法是針對殘留性不良位置(Short NG Point)進(jìn)行切割處理，而金屬沉積法是針對斷開性不良位置(Open NG Point)進(jìn)行沉積后連接處理。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的正常狀態(tài)圖，圖2為圖1所示顯示基板檢測的正常波形圖。如圖1所示，測試探頭101與電流源連接，測試探頭101和測試探頭102與同一根數(shù)據(jù)線連接，測試探頭103與前一根數(shù)據(jù)線連接。在保持測試探頭101、測試探頭102和測試探頭103之間相對位置不變的前題下，將上述三個測試探頭延箭頭方向緩慢推進(jìn)，同時測量測試探頭102上的電壓V₁₀₂和測試探頭103上的電壓V₁₀₃，從而形成電壓V₁₀₂和電壓V₁₀₃的波形圖。如圖2所示，當(dāng)所測試的電路上沒有不良時，所形成的電壓V₁₀₂和電壓V₁₀₃的波形圖為兩條平行的直線。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的斷路狀態(tài)圖，圖4為圖3所示顯示基板檢測的斷路波形圖。當(dāng)測試探頭101、測試探頭102和測試探頭103推進(jìn)到如圖3所示的位置時，測試探頭101和測試探頭102之間出現(xiàn)了斷開性不良位置104，使得測試探頭101和測試探頭102之間出現(xiàn)斷路，從而形成如圖4所示的電壓V₁₀₂波形。

圖5為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板檢測的短路狀態(tài)圖，圖6為圖5所示顯示基板檢測的短路波形圖。當(dāng)測試探頭101、測試探頭102和測試探頭103推進(jìn)到如圖5所示的位置時，測試探頭101和測試探頭103之間出現(xiàn)了殘留性不良位置105，使得測試探頭101和測試探頭103之間出現(xiàn)短路，從而形成如圖6所示的電壓V₁₀₃波形。

圖7為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的斷開性不良的維修圖。如圖7所示，檢測到斷開性不良位置后，使用氬氣(Ar)將金屬碳氧化物粉末攜帶至反應(yīng)釜中，用激光(圖中箭頭為激光方向)作為能量源，通過化學(xué)反應(yīng)將上述化合物分解以金屬粉末的狀態(tài)沉積到玻璃基板上，在熱效應(yīng)作用下形成致密的金屬膜層，從而連接斷開的線路。圖8為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的殘留性不良的結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為圖8所示顯示基板的殘留性不良的的維修圖。如圖8所示，絕緣層106破洞導(dǎo)致第一金屬層107與第二金屬層108之間形成殘留性不良。如圖9所示，直接利用激光(圖中箭頭為激光方向)對殘留物進(jìn)行切割，使得多余的部分與有用的部分?jǐn)嚅_。

可以看出，上述維修方法需要先確定不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，導(dǎo)致維修成本過高。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種顯示基板的維修方法和維修裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中對顯示基板的維修先要確定不良位置，再針對所述不良位置進(jìn)行維修，導(dǎo)致維修成本過高的問題。

為此，本發(fā)明提供一種顯示基板的維修方法，所述顯示基板包括電極層、絕緣層和金屬層，所述絕緣層位于所述電極層和所述金屬層之間，所述金屬層與所述電極層通過位于所述絕緣層中的殘留結(jié)構(gòu)電連接；所述維修方法包括：在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓，以使所述殘留結(jié)構(gòu)斷開。

優(yōu)選的，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟之前還包括：將第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述電極層電連接；將第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述金屬層電連接；所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：通過所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，向所述電極層和所述金屬層之間加載所述修復(fù)電壓。

優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為測試探針，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電橡皮。

優(yōu)選的，所述在所述電極層和所述金屬層之間加載修復(fù)電壓的步驟包括：在所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值內(nèi)，從低至高加載所述修復(fù)電壓。

優(yōu)選的，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值包括：30V至60V。

優(yōu)選的，所述修復(fù)電壓的設(shè)定范圍值包括：48V至60V。