[發明專利]發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410264140.X
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104241476B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 彭韋智;楊治政;劉正強;雷宏毅;謝明勛
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/16
• 分類號: H01L33/16;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制造發光裝置的方法，包含下列步驟：

提供一基板；

形成一掩模區塊在該基板上并接觸該基板，以及無該掩模區塊覆蓋的一基板暴露區；

自該基板暴露區注入多個離子至該基板內，以形成一離子注入區；以及

在該基板上成長一半導體疊層，以形成多個孔洞在該半導體疊層以及該離子注入區之間；

其中該掩模區塊的材料包含金屬或氧化物，且形成該掩模區塊的步驟包含形成一金屬膜在該基板上，以及對該金屬膜應用一熱處理制作工藝以形成多個金屬微粒相互分離。

2.如權利要求1所述的制造發光裝置的方法，其中該金屬膜的厚度小于100nm。

3.如權利要求1所述的制造發光裝置的方法，其中該金屬微粒的粒徑介于50nm至500nm，任兩相鄰的該金屬微粒之間距小于1μm。

4.如權利要求1所述的制造發光裝置的方法，其中在形成該掩模區塊的步驟中，在形成該金屬膜之前，更包含在該基板上形成一氧化物層。

5.如權利要求4所述的制造發光裝置的方法，其中該氧化物層的厚度小于500nm。

6.如權利要求1所述的制造發光裝置的方法，其中形成該掩模區塊的步驟包含形成多個氧化物微粒在該基板上，其中該氧化物微粒的粒徑介于300nm至600nm，任兩相鄰的該氧化物微粒之間距小于1μm。

7.如權利要求1所述的制造發光裝置的方法，其中在形成該離子注入區之前，更包含蝕刻該基板暴露區內的該基板部分以形成一凹陷區域。

8.如權利要求7所述的制造發光裝置的方法，其中該離子注入區對應該凹陷區域。

9.如權利要求8所述的制造發光裝置的方法，其中該多個孔洞位于該凹陷區域上。

10.如權利要求1所述的制造發光裝置的方法，更包含在該半導體迭層內形成一阻障區塊。

11.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法，其中該阻障區塊為非結晶材料。

12.如權利要求10所述的制造發光裝置的方法，其中在該阻障區域形成之后，繼續成長該半導體疊層。

13.一種制造發光裝置的方法，包含下列步驟：

提供一基板；

形成一掩模區塊在該基板上并接觸該基板，以及無該掩模區塊覆蓋的一基板暴露區；

蝕刻該基板暴露區內的該基板部分以形成一凹陷區域；

自該無該掩模區覆蓋的該基板暴露區注入多個離子至該凹陷區域內，以形成一離子注入區；

移除該掩模區塊；以及

在該基板上成長一半導體疊層，以形成多個孔洞在該半導體疊層以及該離子注入區之間；

其中該掩模區塊的材料包含金屬或氧化物。