[發明專利]發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201410264140.X
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104241476B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 彭韋智;楊治政;劉正強;雷宏毅;謝明勛
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/16
• 分類號: H01L33/16;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種發光裝置制造方法，包含：提供一基板；形成一掩模區塊在基板上并接觸基板，以及無掩模區塊覆蓋的一基板暴露區；自基板暴露區注入多個離子至該基板內，以形成一離子注入區；以及在基板上成長一半導體疊層，以形成多個孔洞在半導體疊層以及離子注入區之間；其中掩模區塊的材料包含金屬或氧化物。

技術領域

本發明涉及一種發光裝置，特別是涉及一種具有以離子注入形成散射孔洞的發光裝置。

背景技術

發光二極管(LED)的發光原理與結構與傳統光源不同。發光二極管(LED)具有低耗能、使用年限長、不需升溫時間以及響應快速等優點。還具有體積小、耐震以及適合大量制造等優勢，使得發光二極管(LED)廣泛地應用在市場上。例如，發光二極管(LED)可以應用在顯示裝置、激光光源、交通號志、數據存儲裝置、通訊裝置、照明裝置以及醫療設備等。

發光裝置可包含一基板及一發光疊層，其中發光疊層包含一n型半導體層、一主動層以及一p型半導體層。在發光疊層表面上或基板上可具有粗化結構以增加光取出效率。

此外，發光裝置還可連接其他的組件以形成發光結構。發光裝置可通過基板的另一側設置在次基板上，或者在次基板與發光裝置之間形成焊料或膠材以形成發光結構。此外，次基板還可包含電路，通過導電結構，例如導線，與發光裝置的電極電連接。

發明內容

為解決現有技術問題，本發明提供一種制造發光裝置的方法，包含下列步驟：提供一基板；形成一掩模區塊在該基板上并接觸該基板，以及無該掩模區塊覆蓋的一基板暴露區；自該基板暴露區注入多個離子至該基板內，以形成一離子注入區；以及在該基板上成長一半導體疊層，以形成多個孔洞在該半導體疊層以及該離子注入區之間；其中該掩模區塊的材料包含金屬或氧化物。

附圖說明

圖1A至圖1F為本發明第一實施例揭示的一發光裝置的制造方法示意圖；

圖2為本發明第二實施例揭示的一發光裝置的示意圖；

圖3A至圖3F為本發明的實施例公開的三組不同密度的散射孔隙的電子顯微鏡(scanning electron microscope SEM)照片圖；

圖4A至圖4D為本發明第三實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖5A至圖5E為本發明第四實施例揭示的一發光裝置的制造方法；

圖6A至圖6E為本發明第五實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖7A至圖7E為本發明第六實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖8A至圖8C為本發明第七實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖9A至圖9E為本發明第八實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖10A至圖10D為本發明第九實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖11A至圖11B為本發明第十實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖12A至圖12B為本發明第十一實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖；

圖13A至圖13B為本發明第十二實施例揭示的一發光裝置的制造方法的示意圖。

符號說明

100 發光裝置 202b 離子注入區

102 基板 204 半導體層

102a 上表面 205 散射孔洞

102b 離子注入區域 208 n型半導體層