[發明專利]一種RFMEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法

有效

• 申請號: 201410264110.9
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN104008965B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 黨元蘭;梁廣華;劉曉蘭;徐亞新;趙飛;嚴英占;唐小平;楊宗亮;朱二濤;王康
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十四研究所
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 河北東尚律師事務所13124
• 代理人: 王文慶

技術領域

本發明涉及RF MEMS器件制造領域，特別涉及一種RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法。

背景技術

隨著通信技術的發展，電子產品逐漸向小型化、輕量化、高頻化和多功能方向發展，RF MEMS器件因具有微型化、智能化、多功能、高集成度以及插入損耗低、隔離度高、使用頻率高、可靠性高等優勢，在通信、導航、雷達系統中得到了越來越廣泛的應用。

犧牲層釋放是RF MEMS器件加工中的關鍵技術，國內外目前常用丙酮對光刻膠犧牲層進行濕法釋放，或用氧等離子體對其進行干法釋放。但丙酮有毒，對人體有一定的傷害，且犧牲層不能100％釋放。干法釋放效率較低，而且等離子體對器件上的其它金屬膜層有不同程度的損傷，溫度升高也會對薄膜微橋造成應力。在此背景下，我們發明了一種環保且對金屬膜層無損傷的RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種環保且對金屬膜層無損傷的RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法。

本發明的目的是這樣實現的，一種RF MEMS器件光刻膠犧牲層 的釋放方法，包括以下步驟：

①將需要進行犧牲層釋放的RF MEMS器件放入60℃±5℃的去膜劑中浸泡90min～150min；

②將步驟①處理后的RF MEMS器件取出，再放入去離子水中浸泡3～5遍，浸泡總時間不小于15min，浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；

③將步驟②處理后的RF MEMS器件取出，再用異丙醇浸泡3～5遍，浸泡總時間不小于15小時，浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；

④將步驟③處理后的RF MEMS器件取出，再用環己烷浸泡3～5遍，浸泡總時間不小于15小時，浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；

⑤將冷凍升華干燥裝置的高低溫平臺的溫度設置為-10℃±2℃，所充入的氮氣的壓力設置為0.35MPa±0.05MPa，將步驟④處理后的RF MEMS器件取出后放置在高低溫平臺上，放置7min～10min，待環己烷完全升華后，將高低溫平臺溫度升至室溫，穩定3min～5min后取出RF MEMS器件；

完成RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放。

其中，步驟⑤中所述的冷凍升華干燥裝置包括高低溫平臺和設置在高低溫平臺上方的氮氣罩，氮氣罩與高低溫平臺相接觸的位置留有間隙；在氮氣罩內設置有氮氣噴管。

本發明與現有技術相比所取得的有益效果為：

1、過程中所用材料環保，且對器件上的金屬膜層無損傷；

2、光刻膠犧牲層100％釋放；

3、懸浮微結構成品率高；

4、設備裝置價格低廉；

5、釋放后的RF MEMS器件表面干凈、亮澤。

附圖說明

圖1是冷凍升華干燥裝置示意圖。

具體實施方式

下面，結合圖1對本發明作進一步說明。

一種RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法，包括以下步驟：

①將需要進行犧牲層釋放的RF MEMS器件放入60℃±5℃的去膜劑中浸泡90min～150min；

實施例中，犧牲層材料為AZ6130，去膜劑采用北京科華微電子材料有限公司生產的正膠去膜劑。將需要進行犧牲層釋放的RF MEMS器件放置在60℃±5℃的正膠去膜劑中進行90min、120min、150min的浸泡。三種條件下，光刻膠均能全部去除干凈。

②將步驟①處理后的RF MEMS器件取出，再放入去離子水中浸泡3～5遍，浸泡總時間不小于15min，浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；

實施例中，將步驟①處理后的RF MEMS器件取出,再用去離子水分別進行3遍、4遍、5遍浸泡，總時間均控制在15min，浸泡過程 最初的1min～2min均進行超聲波處理。三種條件下，去離子水皆能將正膠去膜劑置換干凈。

③將步驟②處理后的RF MEMS器件取出，再用異丙醇浸泡3～5遍，浸泡總時間不小于15小時，浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；

實施例中，將步驟②處理后的RF MEMS器件取出，再用異丙醇分別進行3遍、4遍、5遍浸泡，總時間均控制在15小時，浸泡過程最初的1min～2min均進行超聲波處理。三種條件下，異丙醇皆能將去離子水置換干凈。