[發明專利]一種RFMEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法有效
| 申請號： | 201410264110.9 | 申請日： | 2014-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN104008965B | 公開（公告）日： | 2017-07-11 |
| 發明（設計）人： | 黨元蘭;梁廣華;劉曉蘭;徐亞新;趙飛;嚴英占;唐小平;楊宗亮;朱二濤;王康 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十四研究所 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 河北東尚律師事務所13124 | 代理人： | 王文慶 |
| 地址： | 050081 河北省石家莊*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 rf mems 器件 光刻 犧牲 釋放 方法 | ||
1.一種RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法，其特征在于包括以下步驟：
①將需要進行犧牲層釋放的RF MEMS器件放入60℃±5℃的去膜劑中浸泡90min～150min；
②將步驟①處理后的RF MEMS器件取出，再放入去離子水中浸泡3～5遍，放入去離子水中浸泡總時間不小于15min，放入去離子水中浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；
③將步驟②處理后的RF MEMS器件取出，再用異丙醇浸泡3～5遍，用異丙醇浸泡總時間不小于15小時，用異丙醇浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；
④將步驟③處理后的RF MEMS器件取出，再用環己烷浸泡3～5遍，用環己烷浸泡總時間不小于15小時，用環己烷浸泡過程最初的1min～2min進行超聲波處理；
⑤將冷凍升華干燥裝置的高低溫平臺的溫度設置為-10℃±2℃，充入的氮氣的壓力設置為0.35MPa±0.05MPa，將步驟④處理后的RF MEMS器件取出后放置在高低溫平臺上，放置7min～10min，待環己烷完全升華后，將高低溫平臺溫度升至室溫，穩定3min～5min后取出RF MEMS器件；
完成RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放。
2.根據權利要求1所述的一種RF MEMS器件光刻膠犧牲層的釋放方法，其特征在于：步驟⑤中所述的冷凍升華干燥裝置包括高低溫平臺和設置在高低溫平臺上方的氮氣罩，氮氣罩與高低溫平臺相接觸的位置留有間隙；在氮氣罩內設置有氮氣噴管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
