[發(fā)明專利]掩模版的清洗方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410263585.6 | 申請日: | 2014-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN104007610B | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 匡友元 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/82 | 分類號: | G03F1/82;B08B3/10 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模版 清洗 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示器件制作領(lǐng)域,尤其涉及一種掩模版的清洗方法和裝置。
背景技術(shù)
平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點,得到了廣泛的應用。現(xiàn)有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有機電致發(fā)光顯示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
有機電致發(fā)光器件由于同時具備自發(fā)光,不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異之特性,被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術(shù)。從使用的有機電致發(fā)光材料的分子量來看,有機電致發(fā)光器件分為小分子有機電致發(fā)光器件(OLED)和高分子電致發(fā)光器件(PLED),由于分子量的不同,有機電致發(fā)光器件的制程也有很大的區(qū)別,OLED主要通過熱蒸鍍方式制備,PLED通過旋涂或者噴墨打印方式制備。
OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明陽極、置于ITO透明陽極上的空穴注入層(HIL)、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)、置于空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、置于發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)、置于電子傳輸層上的電子注入層(EIL)以及置于電子注入層上的陰極。為了提高效率,發(fā)光層通常采用主/客體摻雜系統(tǒng)。
目前OLED制作的主要方式是加熱蒸發(fā)鍍膜,掩模版一般都是選用金屬制作的掩模版,經(jīng)過一段時間的蒸鍍之后需要對金屬掩模版進行清洗,以保證掩模版不會因材料附著而發(fā)生精度變化,傳統(tǒng)的掩模版清洗采用濕式藥液浸泡清洗,存在清洗時間長,藥液純度要求高,有材料殘留的等缺點。
圖1為現(xiàn)有的掩模版的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,包括藥液濕式清洗槽500、藥液濕式洗滌槽600及干燥槽700。200為待清洗的OLED金屬掩模版。該方法首先將待清洗的OLED金屬掩模版200置于裝有藥液的藥液濕式清洗槽500中對OLED金屬掩模版表面的有機材料進行清洗,然后將清洗后的OLED金屬掩模版置于裝有洗滌劑的藥液濕式洗滌槽600中,對前一道工序中帶出的藥液進行漂洗,最后把漂洗后的OLED金屬掩模版置于干燥槽700中進行干燥處理。該方法具有清洗時間長,藥液純度要求高,有材料殘留等缺點。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種掩模版的清洗方法,克服了傳統(tǒng)藥液浸泡清洗時間長、效率低的問題,大大縮短了清洗周期,提高了清洗產(chǎn)能,并降低材料殘留的幾率。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種掩模版的清洗裝置,結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,功能實用,有效提高了掩模版的清洗效率。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明供一種掩模版的清洗方法,包括以下步驟:
步驟1、提供待清洗掩模版,該掩模版由金屬制成,其上附有有機材料膜層;
步驟2、對該待清洗的掩模版進行微波加熱,使附著在掩模版的有機材料膜層破碎;
步驟3、停止微波加熱,對微波加熱過的掩模版噴淋藥液,將破碎的有機材料膜層沖洗脫離掩模版;
步驟4、使用藥液對掩模版上剩余的有機材料膜層進行清洗;
步驟5、對清洗過的掩模版進行漂洗,以洗掉殘留在掩模版上的藥液;
步驟6、使用微波對掩模版進行干燥處理。
所述掩模版用于OLED的蒸鍍制程。
所述步驟2與步驟3在一微波干式清洗槽里進行,所述微波干式清洗槽包括槽體、設(shè)于槽體底部的微波發(fā)生裝置、及設(shè)于槽體頂部的藥液噴淋頭,通過微波發(fā)生裝置對掩模版進行微波加熱,通過藥液噴淋頭對掩模版噴淋藥液。
在所述步驟2與3中,所述待清洗掩模版傾斜放置于微波干式清洗槽內(nèi),所述有機材料膜層朝上,且所述藥液噴淋頭為低速藥液噴淋頭。
所述步驟4在一藥液濕式清洗槽中進行清洗,所述藥液濕式清洗槽裝有藥液,所述掩模版浸沒于藥液中。
所述步驟5在一藥液濕式洗滌槽中進行漂洗,所述藥液濕式洗滌槽裝有洗滌液,所述掩模版浸沒于洗滌液中。
所述步驟6在所述微波干式清洗槽里進行。
本發(fā)明還提供一種掩模版的清洗裝置,包括一微波干式清洗槽、一藥液濕式清洗槽及一藥液濕式洗滌槽,所述微波干式清洗槽包括槽體、設(shè)于槽體底部的微波發(fā)生裝置、及設(shè)于槽體頂部的低速藥液噴淋頭。
所述微波干式清洗槽、藥液濕式清洗槽及藥液濕式洗滌槽依次相鄰放置。
所述藥液濕式清洗槽中裝有藥液,所述藥液濕式洗滌槽中裝有洗滌液,所述掩模版由金屬制成,用于OLED的蒸鍍制程。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





