[發明專利]掩模版的清洗方法及裝置有效
| 申請號： | 201410263585.6 | 申請日： | 2014-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN104007610B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 匡友元 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/82 | 分類號： | G03F1/82;B08B3/10 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 模版 清洗 方法 裝置 | ||
1.一種掩模版的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、提供待清洗掩模版，該掩模版由金屬制成，其上附有有機材料膜層；
步驟2、對該待清洗的掩模版進行微波加熱，使附著在掩模版的有機材料膜層破碎；
步驟3、停止微波加熱,對微波加熱過的掩模版噴淋藥液，將破碎的有機材料膜層沖洗脫離掩模版；
步驟4、使用藥液對掩模版上剩余的有機材料膜層進行清洗；
步驟5、對清洗過的掩模版進行漂洗，以洗掉殘留在掩模版上的藥液；
步驟6、使用微波對掩模版進行干燥處理；
所述步驟2與步驟3在一微波干式清洗槽里進行，所述微波干式清洗槽包括槽體、設于槽體底部的微波發生裝置、及設于槽體頂部的藥液噴淋頭，通過微波發生裝置對掩模版進行微波加熱，通過藥液噴淋頭對掩模版噴淋藥液。
2.如權利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述掩模版用于OLED的蒸鍍制程。
3.如權利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，在所述步驟2與3中，所述待清洗掩模版傾斜放置于微波干式清洗槽內，所述有機材料膜層朝上，且所述藥液噴淋頭為低速藥液噴淋頭。
4.如權利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步驟4在一藥液濕式清洗槽中進行清洗，所述藥液濕式清洗槽裝有藥液，所述掩模版浸沒于藥液中。
5.如權利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步驟5在一藥液濕式洗滌槽中進行漂洗，所述藥液濕式洗滌槽裝有洗滌液，所述掩模版浸沒于洗滌液中。
6.如權利要求1所述的掩模版的清洗方法，其特征在于，所述步驟6在所述微波干式清洗槽里進行。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
