[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410261080.6
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN104253018B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中陽子
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 俞丹

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠減少用于去除半導(dǎo)體晶片的環(huán)狀增強部時的工數(shù)，并能減少裂紋或碎片掉落。該半導(dǎo)體裝置的制造方法將半導(dǎo)體晶片切割成多個半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體晶片在背面的中央部具有厚度比外周部要薄的凹部，且在外周部具有環(huán)狀增強部，在凹部中具有形成多個半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體元件區(qū)域、以及由半導(dǎo)體元件區(qū)域以外的凹部構(gòu)成的剩余區(qū)域，該制造方法包括：用粘接帶將半導(dǎo)體晶片的背面安裝到切割架上的安裝工序；將安裝在切割架上的半導(dǎo)體晶片的背面載放到具有比其凹部要小的凸部的工作臺上，并從半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)惹袛喟雽?dǎo)體元件形成區(qū)域來將多個半導(dǎo)體裝置一個個切割出來的切斷工序；使粘接帶的粘接力下降的粘接力下降工序；將環(huán)狀增強部從粘接帶剝離的剝離工序；以及去除環(huán)狀增強部和剩余區(qū)域的去除工序。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用背面具有圓形凹部的半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

近年來，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)要求具有高性能以及低成本，因此，半導(dǎo)體晶片變得越來越薄。例如半導(dǎo)體晶片的厚度需要薄至50μm～100μm左右，或是更薄的厚度。

半導(dǎo)體晶片的薄化是在半導(dǎo)體晶片的正面上形成了元件結(jié)構(gòu)之后，對半導(dǎo)體晶片的背面進行研磨直至達到規(guī)定的厚度來實現(xiàn)的。

然而，薄化后的半導(dǎo)體晶片的機械強度會下降，因此，容易產(chǎn)生斷裂或裂紋，難以對其進行搬運等處理。

由此，在半導(dǎo)體晶片的正面形成了元件結(jié)構(gòu)之后，通過從半導(dǎo)體晶片的背面對位于半導(dǎo)體晶片中央部的元件結(jié)構(gòu)部進行研磨，并使半導(dǎo)體晶片的外周部保留規(guī)定的寬度來構(gòu)成增強部，能夠提高半導(dǎo)體晶片的機械強度，減少半導(dǎo)體晶片的斷裂或裂紋。

然后，在去除了半導(dǎo)體晶片的增強部之后，以各個元件結(jié)構(gòu)為單位對半導(dǎo)體晶片進行切割，切斷后得到一個個的半導(dǎo)體裝置。

圖18中示出了中央部被薄化而外周部成為增強部的半導(dǎo)體晶片。圖18(a)是半導(dǎo)體晶片的俯視圖，圖18(b)是圖18(a)的A-A’剖視圖。

由圖18(b)可知，在半導(dǎo)體晶片1背面的外周部形成有晶片的厚度較厚的環(huán)狀增強部2，在半導(dǎo)體晶片1背面的中央部形成有晶片的厚度較薄的背面凹部3。

由圖18(a)可知，背面凹部3中存在形成有半導(dǎo)體裝置4的元件形成區(qū)域6，元件形成區(qū)域6中形成有芯片分割線7，用于切斷元件形成區(qū)域6而得到一個個半導(dǎo)體裝置4。背面凹部3中除元件形成區(qū)域6以外的區(qū)域為剩余區(qū)域5。

作為去除半導(dǎo)體晶片外周所形成的環(huán)狀增強部的方法，可以用紫外線固化型粘接帶將背面具有圓形凹部的半導(dǎo)體晶片與切割架粘貼在一起，并放置到卡盤臺上，在切斷了半導(dǎo)體晶片外周的環(huán)狀增強部之后，使粘貼在環(huán)狀增強部上的那部分粘接帶的粘接力減弱，并在粘接帶與環(huán)狀增強部的邊界處插入鉤爪來去除環(huán)狀增強部。(例如專利文獻1)

還可以用紫外線固化型粘接帶將背面具有凹部的半導(dǎo)體晶片與切割架粘貼在一起，并放置到與背面凹部相嵌合的卡盤臺上，沿著晶片上的分區(qū)線進行切割，從而將晶片上的器件區(qū)域切斷，環(huán)狀增強部維持環(huán)狀狀態(tài)，使粘貼在環(huán)狀增強部上的那部分粘接帶的粘接力減弱，從而去除環(huán)狀增強部。(例如專利文獻2)

還可以用紫外線固化型粘接帶將背面具有凹部的半導(dǎo)體晶片與切割架粘貼在一起，然后進行切割，使晶片上的器件區(qū)域一個個分割開來，而環(huán)狀增強部則處于未被分割的狀態(tài)，通過使環(huán)狀增強部的粘接帶的粘接力減弱，并將切割架放置到與背面凹部相嵌合的工作臺上，使工作臺上下移動來從粘接帶去除環(huán)狀增強部。(例如專利文獻3)

現(xiàn)有專利文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2011-61137號公報

專利文獻2：日本專利特開2010-62375號公報