[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410261080.6
• 申請(qǐng)日: 2014-06-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104253018B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田中陽(yáng)子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 俞丹

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，將包括以下結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶片加以分割：

使所述半導(dǎo)體晶片背面的中央部的厚度比外周端部薄而形成的凹部；

形成在所述凹部外周的環(huán)狀增強(qiáng)部；

在所述凹部中用分割線劃分形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域；以及

由除所述多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域以外的所述凹部構(gòu)成的剩余區(qū)域，

所述半導(dǎo)體裝置的制造方法依次實(shí)施以下工序：

用粘接帶在所述半導(dǎo)體晶片的背面安裝切割架的安裝工序；

將安裝在所述切割架上的所述半導(dǎo)體晶片的背面載放到具有比所述凹部要小的凸部的工作臺(tái)上，并沿著所述分割線從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)葘⑺龆鄠€(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域切斷，從而將所述多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域一個(gè)個(gè)分割開(kāi)來(lái)的切斷工序；

從所述半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)仁顾稣辰訋У恼辰恿ο陆档恼辰恿ο陆倒ば颍?/p>

將所述半導(dǎo)體晶片的背面載放到比所述凹部要小但比所述多個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)域要大的保持工作臺(tái)上，在所述半導(dǎo)體晶片與所述切割架之間，使環(huán)狀剝離治具從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)乳_(kāi)始下降，將所述粘接帶向下壓，從而將所述環(huán)狀增強(qiáng)部從所述粘接帶剝離的剝離工序；以及

去除所述環(huán)狀增強(qiáng)部及所述剩余區(qū)域的去除工序。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

還包括在實(shí)施了所述去除工序后，擴(kuò)張所述粘接帶從而將在所述切斷工序中被分割成一個(gè)個(gè)的所述半導(dǎo)體元件區(qū)域之間的間隙擴(kuò)大的擴(kuò)張工序。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述剝離工序中使用的所述環(huán)狀剝離治具的與所述粘接帶相接的面為圓形環(huán)狀。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述去除工序中，在使所述環(huán)狀剝離治具下降的狀態(tài)下，從所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)任剿霏h(huán)狀增強(qiáng)部來(lái)將其去除。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述粘接力下降工序中，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片的背面照射紫外線。