[發明專利]異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法

有效

• 申請號: 201410260428.X
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN105154852A
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 吳科俊;陳金元;胡宏逵;汪訓忠;楊華新
• 申請（專利權）人: 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司;理想能源設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/54
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，所述方法包括異質結太陽能電池PECVD設備，所述異質結太陽能電池PECVD設備對硅片進行I層工藝、N層工藝和P層工藝，所述異質結太陽能電池PECVD設備包括用以在所述P層工藝與后續I層工藝之間共用的循環用具，其特征在于：在P層工藝之后增加水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述循環用具表面的硼殘留。

2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述水蒸氣處理工藝的工藝壓力為0.1-5mbar，工藝時間為1-300s。

3.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述異質結太陽能電池PECVD設備包括單一PECVD腔體及所述PECVD腔體內用以承托硅片的托盤，所述I層工藝、N層工藝和P層工藝在所述共同的單一PECVD腔體內進行，所述循環用具為所述PECVD腔體，在P層工藝之后進行所述水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述PECVD腔體表面的硼殘留。

4.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述水蒸氣處理工藝還包括前期的用以去除循環用具表面硅殘留的NF3清洗工藝及用以去除循環用具表面在所述NF3清洗工藝后的氟殘留物的H2等離子體處理工藝。

5.根據權利要求3所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述方法包括：

步驟一：對硅片一面進行I層工藝；

步驟二：對硅片另一面進行I層工藝；

步驟三：在I層上進行N層或P層工藝；

步驟四：在硅片另一面的I層上進行異質結太陽能電池所需的P層或N層工藝。

6.根據權利要求3所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述方法包括：

步驟一：對硅片一面進行I層工藝；

步驟二：在所述I層上進行N層或P層工藝；

步驟三：對硅片另一面進行I層工藝；

步驟四：在所述I層上進行異質結太陽能電池所需的P層或N層工藝。

7.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述異質結太陽能電池PECVD設備包括P層工藝反應腔及用以進行I層工藝的反應腔，所述P層工藝在獨立的P層工藝反應腔內進行，所述循環用具為用以將硅片從P層工藝反應腔傳遞到用以進行I層工藝的反應腔內的托盤，在P層工藝之后進行所述水蒸氣處理工藝用以在I層工藝之前除去所述托盤表面的硼殘留。

8.根據權利要求7所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述水蒸氣處理工藝在所述P層工藝反應腔內進行，所述水蒸氣處理工藝用以除去所述硅片及托盤表面的硼殘留。

9.根據權利要求7所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述異質結太陽能電池PECVD設備包括用以將硅片和托盤在完成P層工藝之后取出的出片腔，所述水蒸氣處理工藝在所述出片腔內進行，待水蒸氣處理完成后，再使出片腔破真空，所述水蒸氣處理工藝用以除去所述硅片及托盤表面的硼殘留。

10.根據權利要求7所述的異質結太陽能電池PECVD工藝受硼污染解決方法，其特征在于：所述異質結太陽能電池PECVD設備包括用以將硅片和托盤在完成P層工藝之后取出的出片腔及用以將硅片和托盤送入用以進行I層工藝的反應腔內進行I層工藝的進片腔，所述出片腔與進片腔之間設有用以進行所述水蒸氣處理工藝的真空腔，所述托盤從出片腔出來后卸載硅片，然后所述托盤經過所述真空腔進行水蒸氣處理工藝后所述托盤再裝載硅片從進片腔進入用以進行I層工藝的反應腔。