[發明專利]局部減薄背照式圖像傳感器結構及其封裝工藝

在審

• 申請號: 201410259565.1
• 申請日: 2014-06-12
• 公開（公告）號: CN103996687A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 程順昌;王艷;林瓏君;陳雯靜;柳益;谷順虎;陳于偉
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務所 50215
• 代理人: 侯懋琪;侯春樂

技術領域

????本發明涉及一種背照式圖像傳感器，尤其涉及一種局部減薄背照式圖像傳感器結構及其封裝工藝。

背景技術

局部減薄背照式圖像傳感器的封裝通常采用的是倒裝焊工藝，在芯片制作完成后，需要先在焊盤上生長凸點，再進行局部減薄，減薄完成后，將芯片通過倒裝焊工藝貼裝在基板（或管殼）上進行電互聯，隨后采用填充物質對芯片底部空隙進行填充，其典型結構如圖1所示，存在的問題是：受限于現有結構和工藝，采用常規工藝制作出的器件，其芯片和基板之間必然存在間隙，為了保證器件的結構穩定性，必須采用填充物質來將芯片和基板之間的空隙填充，但同樣受限于填充工藝的可操作性，填充不均勻是填充工藝中十分常見的現象，進而導致背照式圖像傳感器因底部填充不均勻產生成像背景缺陷，造成產品失效。

發明內容

針對背景技術中的問題，本發明提出了一種新的局部減薄背照式圖像傳感器結構，它由芯片、墊高層、基板、芯片焊盤、基板焊盤、引線和光窗組成；所述芯片上端面設置有局部減薄槽；芯片上端面與光窗連接，所述光窗將局部減薄槽覆蓋；芯片下端面與墊高層上端面連接，芯片焊盤設置于芯片下端面上，芯片焊盤位于墊高層外側；墊高層下端面與基板上端面連接，基板焊盤設置于基板上端面上，基板焊盤位于芯片焊盤外側；芯片焊盤和基板焊盤之間通過引線連接；芯片焊盤設置于墊高層周圍的目的，以及基板焊盤設置于芯片焊盤外側的目的，均是為了便于進行引線連接操作。

從前述結構中我們可以看出，芯片與基板之間直接通過墊高層形成穩定的實心連接，從而使得加工過程中不需要再對芯片底部進行填充工藝，這就避免了采用填充工藝時可能引起的填充不均勻問題，同時也就解決了背照式圖像傳感器因底部填充不均勻引起的成像背景缺陷問題，保證了產品品質，使成品率得到大幅提高。

優選地，芯片與光窗之間通過膠粘物質粘接固定。

優選地，芯片與墊高層之間通過膠粘物質粘接固定。

優選地，墊高層與基板之間通過膠粘物質粘接固定。

優選地，所述墊高層采用硅材料制作。

優選地，墊高層厚度為0.5～1mm。

基于前述結構，本發明還提出了一種局部減薄背照式圖像傳感器封裝工藝，所述局部減薄背照式圖像傳感器的結構如前所述，具體的封裝工藝為：

1）制作帶有局部減薄槽和芯片焊盤的芯片；

2）將光窗粘貼在芯片上的對應位置處；

3）將墊高層粘貼在芯片上的對應位置處；

4）采用引線鍵合工藝，將引線的一端與芯片焊盤連接；

5）將基板粘貼在墊高層上的對應位置處；

6）采用引線鍵合工藝，將引線的另一端與基板焊盤連接，器件制作完成。

前述封裝工藝中的各個步驟均采用現有設備和工藝實現，相比于現有的封裝工藝，本發明的封裝工藝更為簡單，封裝過程中無填充操作，工藝難度更低，可以使產品的品質和成品率都得到保障。

優選地，所述墊高層采用硅材料制作。

優選地，墊高層厚度為0.5～1mm。

本發明的有益技術效果是：通過結構改變來避免在封裝工藝中進行填充操作，在保證結構穩定性的同時，降低了工藝難度，保證了產品品質，提高了加工時的成品率。

附圖說明

圖1、現有局部減薄背照式圖像傳感器的典型結構示意圖；

圖2、本發明的結構示意圖；

圖3、封裝工藝中，步驟1）狀態時的器件結構示意圖；

圖4、封裝工藝中，步驟2）狀態時的器件結構示意圖；

圖5、封裝工藝中，步驟3）狀態時的器件結構示意圖；

圖6、封裝工藝中，步驟4）狀態時的器件結構示意圖；

圖7、封裝工藝中，步驟5）狀態時的器件結構示意圖；

圖8、封裝工藝中，步驟6）狀態時的器件結構示意圖；

圖中各個標記所對應的名稱分別為：芯片1、墊高層2、基板3、芯片焊盤4、基板焊盤5、引線6、光窗7、凸點8、由填充物質形成的填充層9、芯片上的有效感光部10、局部減薄槽11。

具體實施方式