[發(fā)明專利]局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)及其封裝工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410259565.1
• 申請(qǐng)日: 2014-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN103996687A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程順昌;王艷;林瓏君;陳雯靜;柳益;谷順虎;陳于偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215
• 代理人: 侯懋琪;侯春樂

1.一種局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述局部減薄背照式圖像傳感器由芯片（1）、墊高層（2）、基板（3）、芯片焊盤（4）、基板焊盤（5）、引線（6）和光窗（7）組成；所述芯片（1）上端面設(shè)置有局部減薄槽；芯片（1）上端面與光窗（7）連接，所述光窗（7）將局部減薄槽覆蓋；芯片（1）下端面與墊高層（2）上端面連接，芯片焊盤（4）設(shè)置于芯片（1）下端面上，芯片焊盤（4）位于墊高層（2）外側(cè)；墊高層（2）下端面與基板（3）上端面連接，基板焊盤（5）設(shè)置于基板（3）上端面上，基板焊盤（5）位于芯片焊盤（4）外側(cè)；芯片焊盤（4）和基板焊盤（5）之間通過引線（6）連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于：芯片（1）與光窗（7）之間通過膠粘物質(zhì)粘接固定。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于：芯片（1）與墊高層（2）之間通過膠粘物質(zhì)粘接固定。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于：墊高層（2）與基板（3）之間通過膠粘物質(zhì)粘接固定。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述墊高層（2）采用硅材料制作。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部減薄背照式圖像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征在于：墊高層（2）厚度為0.5～1mm。

7.一種局部減薄背照式圖像傳感器封裝工藝，所述局部減薄背照式圖像傳感器由芯片（1）、墊高層（2）、基板（3）、芯片焊盤（4）、基板焊盤（5）、引線（6）和光窗（7）組成；所述芯片（1）上端面設(shè)置有局部減薄槽；芯片（1）上端面與光窗（7）連接，所述光窗（7）將局部減薄槽覆蓋；芯片（1）下端面與墊高層（2）上端面連接，芯片焊盤（4）設(shè)置于芯片（1）下端面上，芯片焊盤（4）位于墊高層（2）外側(cè)；墊高層（2）下端面與基板（3）上端面連接，基板焊盤（5）設(shè)置于基板（3）上端面上，基板焊盤（5）位于芯片焊盤（4）外側(cè)；芯片焊盤（4）和基板焊盤（5）之間通過引線（6）連接；其特征在于：按如下工藝制作前述局部減薄背照式圖像傳感器：

1）制作帶有局部減薄槽和芯片焊盤（4）的芯片（1）；

2）將光窗（7）粘貼在芯片（1）上的對(duì)應(yīng)位置處；

3）將墊高層（2）粘貼在芯片（1）上的對(duì)應(yīng)位置處；

4）采用引線鍵合工藝，將引線（6）的一端與芯片焊盤（4）連接；

5）將基板（3）粘貼在墊高層（2）上的對(duì)應(yīng)位置處；

6）采用引線鍵合工藝，將引線（6）的另一端與基板焊盤（5）連接，器件制作完成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的局部減薄背照式圖像傳感器封裝工藝，其特征在于：所述墊高層（2）采用硅材料制作。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的局部減薄背照式圖像傳感器封裝工藝，其特征在于：墊高層（2）厚度為0.5～1mm。