[發明專利]低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法、低壓壓敏電阻器的制備方法

有效

• 申請號: 201410259346.3
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104086170A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 梁戈仁;鄧佩佳
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B35/622;H01C7/12;H01C17/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及壓敏電阻材料領域，特別是涉及一種低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法，以及低壓壓敏電阻器的制備方法。

背景技術

壓敏電阻器是一種電路中常用的防雷擊、防瞬態過電壓電子元件。行業中一般將68V以下電壓段的壓敏電阻定義為低壓壓敏電阻器。低壓壓敏電阻器在雷擊能量的承受能力上通常比高壓壓敏電阻器要低。根據行業標準SJ/T10348-93以及SJ/T10349-93中的要求，MYG2-20K系列的壓敏電阻器的最大通流量只有1000A，沖擊次數2次，而相同直徑尺寸的高電壓壓敏電阻器的最大通流量可達4000A，沖擊次數2次。

傳統的低壓壓敏電阻器具有防雷擊能力較差的缺點。

發明內容

基于此，有必要提供一種防雷擊能力較好的低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法，以及低壓壓敏電阻器的制備方法。

一種低壓壓敏電阻陶瓷片，所述低壓壓敏電阻陶瓷片由混合粉末燒結形成，所述混合粉末包括質量百分數為94％～96％的ZnO、0.2％～4％的Bi₂O₃、0.1％～0.6％的MnCO₃、0.1％～2％的Co₃O₄、0.1％～0.6％的NiO、0.002％～0.02％的Al(NO₃)₃、0.1％～0.5％的TiO₂、0.01％～0.5％的Nb₂O₅以及0.01％～2％的Sb₂O₃。

在其中一個實施例中，所述混合粉末包括質量百分數為94.15％的ZnO、2％的Bi₂O₃、0.4％的MnCO₃、1.3％的Co₃O₄、0.5％的NiO、0.02％的Al(NO₃)₃、0.2％的TiO₂、0.03％的Nb₂O₅以及1.4％的Sb₂O₃。

一種低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，包括以下步驟：

提供含有質量比為94～96：0.2～4：0.1～0.6：0.1～2：0.1～0.6：0.002～0.02：0.1～0.5：0.01～0.5：0.01～2的ZnO、Bi₂O₃、MnCO₃、Co₃O₄、NiO、Al(NO₃)₃、TiO₂、Nb₂O₅和Sb₂O₃的原料漿；

往所述原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯；

將所述陶瓷生坯在500℃～550℃保溫2h～4h，再升溫至1180℃～1220℃燒結2h～6h，得到所述低壓壓敏電阻陶瓷片。

在其中一個實施例中，所述膠黏劑為聚乙烯醇水溶液。

在其中一個實施例中，所述原料漿通過如下步驟制備：

將質量比為0.2～4：0.1～0.6：0.1～2：0.1～0.6：0.002～0.02：0.1～0.5：0.01～0.5：0.01～2的Bi₂O₃、MnCO₃、Co₃O₄、NiO、Al(NO₃)₃、TiO₂、Nb₂O₅和Sb₂O₃的混合物和去離子水混合，磨碎形成漿料；

往所述漿料中加入ZnO和去離子水，其中，ZnO和Bi₂O₃的質量比為94～96：0.2～4，磨碎后得到所述原料漿。

一種低壓壓敏電阻器的制備方法，包括以下步驟：