[發(fā)明專利]低壓壓敏電阻陶瓷片及其制備方法、低壓壓敏電阻器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410259346.3
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104086170A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 梁戈仁;鄧佩佳
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B35/622;H01C7/12;H01C17/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種低壓壓敏電阻陶瓷片，其特征在于，所述低壓壓敏電阻陶瓷片由混合粉末燒結形成，所述混合粉末包括質量百分數(shù)為94％～96％的ZnO、0.2％～4％的Bi₂O₃、0.1％～0.6％的MnCO₃、0.1％～2％的Co₃O₄、0.1％～0.6％的NiO、0.002％～0.02％的Al(NO₃)₃、0.1％～0.5％的TiO₂、0.01％～0.5％的Nb₂O₅以及0.01％～2％的Sb₂O₃。

2.根據(jù)權利要求1所述的低壓壓敏電阻陶瓷片，其特征在于，所述混合粉末包括質量百分數(shù)為94.15％的ZnO、2％的Bi₂O₃、0.4％的MnCO₃、1.3％的Co₃O₄、0.5％的NiO、0.02％的Al(NO₃)₃、0.2％的TiO₂、0.03％的Nb₂O₅以及1.4％的Sb₂O₃。

3.一種低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供含有質量比為94～96：0.2～4：0.1～0.6：0.1～2：0.1～0.6：0.002～0.02：0.1～0.5：0.01～0.5：0.01～2的ZnO、Bi₂O₃、MnCO₃、Co₃O₄、NiO、Al(NO₃)₃、TiO₂、Nb₂O₅和Sb₂O₃的原料漿；

往所述原料漿中加入膠黏劑造粒，壓制成型得到陶瓷生坯；

將所述陶瓷生坯在500℃～550℃保溫2h～4h，再升溫至1180℃～1220℃燒結2h～6h，得到所述低壓壓敏電阻陶瓷片。

4.根據(jù)權利要求3所述的低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，其特征在于，所述膠黏劑為聚乙烯醇水溶液。

5.根據(jù)權利要求3所述的低壓壓敏電阻陶瓷片的制備方法，其特征在于，所述原料漿通過如下步驟制備：

將質量比為0.2～4：0.1～0.6：0.1～2：0.1～0.6：0.002～0.02：0.1～0.5：0.01～0.5：0.01～2的Bi₂O₃、MnCO₃、Co₃O₄、NiO、Al(NO₃)₃、TiO₂、Nb₂O₅和Sb₂O₃的混合物和去離子水混合，磨碎形成漿料；

往所述漿料中加入ZnO和去離子水，其中，ZnO和Bi₂O₃的質量比為94～96：0.2～4，磨碎后得到所述原料漿。