[發明專利]天線效應放電回路及其制造方法

有效

• 申請號: 201410258533.X
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN105185776B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 呂函庭;葉騰豪
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/11551;H01L27/11578;G11C11/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種集成電路裝置，包括：

一基板；

多個圖案化導體層及層間連接器，位于該基板上，這些層包括一上層及一個或多個下層；

一天線效應放電電路，位于基板上且具有一柵極；

一電容，具有一第一端及一第二端，該第一端位于該基板內或連接于該基板，該第二端連接到該柵極；

一電壓供應電路，配置成能提供一電壓，該電壓足夠在運作時的一關閉狀態偏置該天線效應放電電路；以及

該上層內的一圖案化導體連接該柵極及該電壓供應電路；

其中該上層內的圖案化導體透過一第一導體連接于位于該基板上的一通道阱，且透過一第二導體連接于該柵極與該第二端。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中該上層為該裝置內一頂端圖案化導體層。

3.根據權利要求1所述的集成電路裝置，包括一鈍化層，位于該上層之上。

4.根據權利要求1所述的集成電路裝置，包括一開關，用以在運作時關閉該裝置，該開關并具有一第一端和一第二端，該第一端通過一第一連接器連接該柵極，該第二端通過一第二連接器連接該電壓供應電路，該第一連接器及該第二連接器其中的一個或兩個包括該上層的該圖案化導體。

5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中該天線效應放電電路包括：

一場效應晶體管，位于該基板上，具有一柵極、一通道阱、一源極及一漏極，該柵極位于這些層其中之一，該通道阱通過一個或以上的層連接其中一層內的一導體，該源極及該漏極位于該通道阱內；以及

該源極及該漏極的其中之一通過這些下層中的一個或多個連接到一節點，該節點在該裝置運作期間具有操作電壓，該源極及該漏極的其中之另一通過這些下層中的一個或多個連接到該基板。

6.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中該基板包括一p型半導體，該p型半導體包括一n型阱，且該場效應晶體管包括：

一PMOS晶體管，其中該n型阱為該通道阱。

7.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中該基板包括一p型半導體，該p型半導體包括位于一n型阱內的一p型阱；該場效應晶體管包括：

一NMOS晶體管，其中該p型阱為該通道阱。

8.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中該通道阱為該基板內的一摻雜阱。

9.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中該多個圖案化導體層及層間連接器包括具有一字線的一存儲器陣列，且該天線效應放電電路連接到該字線。

10.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中該電壓供應電路包括位于該基板上的一電荷泵電路。