[發明專利]一種制備氮化鋁納米管陣列的方法無效
| 申請號: | 201410258247.3 | 申請日: | 2014-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN104016315A | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | 吳志國;季旭;胡海蓉;張偉博;閆鵬勛 | 申請(專利權)人: | 蘭州大學 |
| 主分類號: | C01B21/072 | 分類號: | C01B21/072;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249 | 代理人: | 陸菊華 |
| 地址: | 730000 甘肅*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 氮化 納米 陣列 方法 | ||
1.一種制備氮化鋁納米管陣列的方法,包括如下步驟,
(1)抽真空;?
(2)氨氣以及氯化鋁于150~200℃蒸發產生的蒸氣在載氣的作用下混合流過溫度為750~850℃的生長襯底表面,混合流過40-60min后,即在生長襯底上得到氮化鋁納米管陣列。
2.根據權利要求1所述制備氮化鋁納米管陣列的方法,其特征在于,所述氨氣的流量為10-20sccm。
3.根據權利要求1所述制備氮化鋁納米管陣列的方法,其特征在于,所述載氣的流量為110-120sccm。
4.根據權利要求1所述制備氮化鋁納米管陣列的方法,其特征在于,步驟(2)混合流過時,氣體的壓力為120-200Pa。
5.根據權利要求1或3所述制備氮化鋁納米管陣列的方法,其特征在于,所述載氣為氬氣。
6.根據權利要求1所述制備氮化鋁納米管陣列的方法,其特征在于,所述生長襯底為硅片、不銹鋼片、銅網、藍寶石或碳化硅。
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