[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201410258184.1
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104241304B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 山口直
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

提供了一種制造半導體器件的方法。實現半導體器件的性能的提高。在一種制造半導體器件的方法中，在n型半導體襯底中形成作為p型半導體區域的p型井，p型半導體區域形成光電二極管的部分，并且形成轉移晶體管的柵極電極。然后在形成作為n型半導體區域的n型井之后向半導體襯底施加微波以加熱半導體襯底，n型半導體區域形成光電二極管的另一部分。隨后形成轉移晶體管的漏極區域。

有關申請的交叉引用

包括說明書、說明書附圖和說明書摘要、于2013年6月12日提交的日本專利申請第2013-123698號的公開通過完全引用而結合于此。

技術領域

本發明涉及一種制造半導體器件的方法，該方法可以適當地用作一種例如制造包括固態圖像感測元件的半導體器件的方法。

背景技術

已經提出使用CMOS(互補金屬氧化物半導體)作為固態圖像感測元件來開發CMOS圖像傳感器。CMOS圖像傳感器被配置用于包括多個像素，每個像素具有光電二極管和轉移晶體管。光電二極管和轉移晶體管形成于半導體襯底的像素區域中。在另一方面，形成邏輯電路的晶體管、即邏輯晶體管形成于半導體襯底的外圍電路區域中。

包括CMOS圖像傳感器作為固態圖像感測元件的半導體器件的制造過程包括的通過離子注入引入雜質的步驟和執行退火、即用于激活通過離子注入引入的雜質或者固化通過離子注入引起的晶體缺陷的熱處理的步驟。作為一種用于執行激活雜質或者固化晶體缺陷的退火的方法，使用熔爐退火、RTA(迅速熱退火)、激光退火等，該熔爐退火使用分批型或者單晶片型退火熔爐。在通過這樣的方法執行退火時，需要在不少于800℃的高溫處執行退火。

在另一方面，作為一種用于在更低溫度執行這樣的退火的方法，使用微波退火。

日本待審專利公開文本第2011-77408號(專利文獻1)公開一種通過微波退火固化晶體缺陷并且通過閃光燈退火或者激光退火激活通過離子注入引入的雜質離子的技術。

日本待審專利公開文本第2002-43329號(專利文獻2)公開一種通過使用熔爐退火的熔爐熱退火方法激活雜質元素的技術。

日本待審專利公開文本第Hei1(1989)-120817號(專利文獻3)公開一種向p型硅襯底中注入離子、然后向硅襯底施加微波以激活雜質離子的技術。

日本待審專利公開文本第2012-109503號(專利文獻4)公開一種在形成硅化物層時使用單晶片型熱傳導退火設備來執行第一熱處理、然后使用微波退火設備來執行第二熱退火的技術。

日本待審專利公開文本第2013-51317號(專利文獻5)公開一種在半導體襯底中形成各自形成固態圖像感測元件的光電二極管和轉移晶體管、在半導體襯底之上進一步形成層間絕緣膜、然后向半導體襯底施加微波以加熱半導體硅襯底的技術。

[相關技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]

日本待審專利公開文本第2011-77408號

[專利文獻2]

日本待審專利公開文本第2002-43329號

[專利文獻3]

日本待審專利公開文本第Hei1(1989)-120817號

[專利文獻4]

日本待審專利公開文本第2012-109503號

[專利文獻5]

日本待審專利公開文本第2013-51317號

發明內容