[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201410258184.1
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104241304B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 山口直
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供具有第一傳導類型的半導體襯底；

(b)在所述步驟(a)之后，注入第二傳導類型雜質并且在所述半導體襯底中形成第一半導體區域，所述第一半導體區域具有與所述第一傳導類型相反的第二傳導類型并且形成光電二極管的部分；

(c)在所述半導體襯底之上形成轉移晶體管的柵極電極，所述轉移晶體管轉移所述光電二極管生成的電荷；

(d)注入第一傳導類型雜質并且形成第二半導體區域，所述第二半導體區域具有所述第一傳導類型并且形成所述光電二極管的另一部分，從而在所述第一半導體區域中包括所述第二半導體區域；

(e)在所述步驟(d)之后，向所述半導體襯底施加微波以加熱所述半導體襯底；

(f)在所述步驟(e)之后，在所述半導體襯底中形成所述轉移晶體管的漏極區域；

(g)在所述步驟(f)之后，使所述半導體襯底經受不小于800℃的溫度處的熱處理，以激活所述第一傳導類型雜質和所述第二傳導類型雜質；以及

(h)在所述步驟(g)之后，在所述半導體襯底之上形成層間絕緣膜。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中在所述步驟(e)中，向所述半導體襯底施加所述微波以引起形成所述半導體襯底的硅晶體的晶格變化，并且因此加熱所述半導體襯底，并且

其中在所述步驟(e)中使用的所述微波具有允許所述微波由所述硅晶體諧振地吸收的頻率。

3.根據權利要求2所述的制造半導體器件的方法，

其中所述微波的所述頻率為5.8GHz。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中在所述步驟(e)中使用的所述微波具有5至10kW的功率。

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中在所述步驟(e)中使用所述微波來加熱所述半導體襯底的時間為15至30分鐘。

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(i)在所述步驟(b)之后并且在所述步驟(d)之前，向所述半導體襯底施加微波以加熱所述半導體襯底。

7.根據權利要求6所述的制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(j)在所述步驟(f)之后并且在所述步驟(h)之前，向所述半導體襯底施加微波以加熱所述半導體襯底。

8.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(j)在所述步驟(f)之后并且在所述步驟(h)之前，向所述半導體襯底施加微波以加熱所述半導體襯底。

9.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(k)在所述步驟(e)之后并且在所述步驟(f)之前，在所述第二半導體區域之上形成防反射膜。

10.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(l)形成延伸經過所述層間絕緣膜以到達所述漏極區域的接觸孔；

(m)向所述接觸孔填充導體膜以形成插塞；以及

(n)在所述步驟(m)之后，在所述層間絕緣膜之上形成互連層。

11.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括以下步驟：

(o)形成延伸經過所述層間絕緣膜以到達所述漏極區域的接觸孔；

(p)向所述接觸孔填充導體膜以形成插塞；

(q)在所述步驟(p)之后，在所述層間絕緣膜之上形成互連層；

(r)在所述步驟(q)之后，將支撐襯底附著到所述半導體襯底；以及

(s)在所述步驟(r)之后，研磨所述半導體襯底的背表面。