[發(fā)明專利]靜電放電晶體管及其靜電放電保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410257874.5
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104241272B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃京鎮(zhèn);沈辰燮;李在賢
• 申請（專利權(quán)）人: 美格納半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 朱勝;李春暉

1.一種靜電放電晶體管，包括：

設(shè)置在基底中的重?fù)诫s的集電極區(qū)；

垂直地設(shè)置在所述集電極區(qū)下方的下沉區(qū)；以及

在所述下沉區(qū)之下比所述下沉區(qū)水平地突出更遠(yuǎn)的埋層，

其中，所述埋層的摻雜濃度高于所述下沉區(qū)的摻雜濃度；以及

其中，所述重?fù)诫s的集電極區(qū)、所述下沉區(qū)和所述埋層彼此具有相同的導(dǎo)電類型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電晶體管，還包括：

在所述基底的表面上的基極區(qū)；

設(shè)置在所述基極區(qū)中的基極接觸區(qū)；以及

在所述基極區(qū)中與所述基極接觸區(qū)隔開的發(fā)射極區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電晶體管，其中，至少兩個(gè)集電極區(qū)、至少兩個(gè)下沉區(qū)以及至少兩個(gè)埋層分別地對稱地設(shè)置在所述發(fā)射極區(qū)的兩側(cè)；以及

所述兩個(gè)埋層朝著所述發(fā)射極區(qū)突出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電晶體管，其中，所述下沉區(qū)具有在10¹⁹/cm³至10²¹/cm³的范圍內(nèi)的N型摻雜劑濃度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電晶體管，還包括設(shè)置在所述集電極區(qū)之下的集電極擴(kuò)展區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電晶體管，還包括：

設(shè)置在所述發(fā)射極區(qū)與所述基極接觸區(qū)之間的第一絕緣膜；以及

設(shè)置在所述基極接觸區(qū)與所述集電極區(qū)之間的第二絕緣膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電晶體管，其中，所述基極區(qū)圍繞所述發(fā)射極區(qū)和所述基極接觸區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電晶體管，還包括圍繞所述基極區(qū)的至少一個(gè)附加基極區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電晶體管，還包括：

與所述集電極區(qū)隔開的分接區(qū)；以及

在所述分接區(qū)之下的附加阱區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電放電晶體管，其中，通過與所述附加阱區(qū)相鄰的另一阱區(qū)，在所述附加阱區(qū)和與所述附加阱區(qū)相鄰的另一阱區(qū)之間形成靜電放電二極管。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電晶體管，還包括連接在設(shè)置在所述發(fā)射極區(qū)的上部部分處的發(fā)射極電極與設(shè)置在所述基極接觸區(qū)的上部部分處的基極電極之間的電阻器。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電晶體管，其中，所述靜電放電晶體管為雙極性結(jié)型晶體管。

13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電放電晶體管，其中，所述靜電放電晶體管配置成使得施加到所述集電極區(qū)的電流以穿過所述下沉區(qū)和所述埋層之后通過所述基極區(qū)朝著所述發(fā)射極區(qū)的U型路徑流動(dòng)。

14.一種靜電放電晶體管，包括：

設(shè)置在基底中的集電極區(qū)；

設(shè)置在所述基底中的基極區(qū)；

設(shè)置在所述基極區(qū)中的基極接觸區(qū)；

在所述基極區(qū)中與所述基極接觸區(qū)隔開的發(fā)射極區(qū)；

垂直地設(shè)置在所述集電極區(qū)下方的下沉區(qū)；

與所述集電極區(qū)隔開的分接區(qū)；以及

在所述分接區(qū)之下的附加阱區(qū)。