[發明專利]靜電放電晶體管及其靜電放電保護電路

有效

• 申請號: 201410257874.5
• 申請日: 2014-06-11
• 公開（公告）號: CN104241272B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 黃京鎮;沈辰燮;李在賢
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 朱勝;李春暉

1.一種靜電放電晶體管，包括：

設置在基底中的重摻雜的集電極區；

垂直地設置在所述集電極區下方的下沉區；以及

在所述下沉區之下比所述下沉區水平地突出更遠的埋層，

其中，所述埋層的摻雜濃度高于所述下沉區的摻雜濃度；以及

其中，所述重摻雜的集電極區、所述下沉區和所述埋層彼此具有相同的導電類型。

2.根據權利要求1所述的靜電放電晶體管，還包括：

在所述基底的表面上的基極區；

設置在所述基極區中的基極接觸區；以及

在所述基極區中與所述基極接觸區隔開的發射極區。

3.根據權利要求2所述的靜電放電晶體管，其中，至少兩個集電極區、至少兩個下沉區以及至少兩個埋層分別地對稱地設置在所述發射極區的兩側；以及

所述兩個埋層朝著所述發射極區突出。

4.根據權利要求1所述的靜電放電晶體管，其中，所述下沉區具有在10¹⁹/cm³至10²¹/cm³的范圍內的N型摻雜劑濃度。

5.根據權利要求1所述的靜電放電晶體管，還包括設置在所述集電極區之下的集電極擴展區。

6.根據權利要求2所述的靜電放電晶體管，還包括：

設置在所述發射極區與所述基極接觸區之間的第一絕緣膜；以及

設置在所述基極接觸區與所述集電極區之間的第二絕緣膜。

7.根據權利要求2所述的靜電放電晶體管，其中，所述基極區圍繞所述發射極區和所述基極接觸區。

8.根據權利要求2所述的靜電放電晶體管，還包括圍繞所述基極區的至少一個附加基極區。

9.根據權利要求1所述的靜電放電晶體管，還包括：

與所述集電極區隔開的分接區；以及

在所述分接區之下的附加阱區。

10.根據權利要求9所述的靜電放電晶體管，其中，通過與所述附加阱區相鄰的另一阱區，在所述附加阱區和與所述附加阱區相鄰的另一阱區之間形成靜電放電二極管。

11.根據權利要求2所述的靜電放電晶體管，還包括連接在設置在所述發射極區的上部部分處的發射極電極與設置在所述基極接觸區的上部部分處的基極電極之間的電阻器。

12.根據權利要求1所述的靜電放電晶體管，其中，所述靜電放電晶體管為雙極性結型晶體管。

13.根據權利要求2所述的靜電放電晶體管，其中，所述靜電放電晶體管配置成使得施加到所述集電極區的電流以穿過所述下沉區和所述埋層之后通過所述基極區朝著所述發射極區的U型路徑流動。

14.一種靜電放電晶體管，包括：

設置在基底中的集電極區；

設置在所述基底中的基極區；

設置在所述基極區中的基極接觸區；

在所述基極區中與所述基極接觸區隔開的發射極區；

垂直地設置在所述集電極區下方的下沉區；

與所述集電極區隔開的分接區；以及

在所述分接區之下的附加阱區。