[發(fā)明專利]一種確定SRAM電性能目標的仿真方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410255400.7 | 申請日： | 2014-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN105335535B | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李煜;王媛;王穎倩;王楠 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 確定 sram 性能 目標 仿真 方法 | ||
1.一種確定SRAM電性能目標的仿真方法，包括：
步驟S101，定義SRAM的電性能目標值作為所述仿真模擬的初始參數，將所述初始參數輸入仿真軟件；
步驟S102，在至少三種極限條件下進行仿真模擬，以分別獲得讀取靜態(tài)噪聲容限、動態(tài)寫容限和動態(tài)讀出電流的正態(tài)分布，其中，所述極限條件包括：慢NMOS慢PMOS、快NMOS快PMOS、快NMOS慢PMOS、慢NMOS快PMOS；
步驟S103，從所述正態(tài)分布分別獲得所述讀取靜態(tài)噪聲容限、動態(tài)寫容限和讀出電流的平均值和西格瑪值；
步驟S104，在所述讀取靜態(tài)噪聲容限、動態(tài)寫容限和讀出電流的3個西格瑪中選擇最小的西格瑪值，查良率和西格瑪值表格，獲得所述SRAM的仿真良率數據；
步驟S105，將所述仿真良率數據與良率標準進行比對，判斷所述良率數據是否大于或等于良率標準；
如果是，則進行步驟S106，仿真模擬結束。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電性能目標值包括Vt/Idsat的目標值和器件局部失配條件。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述仿真良率數據小于所述良率標準，則返回重新優(yōu)化所述電性能目標值后，重復執(zhí)行所述步驟S102、步驟S103、步驟S104、步驟S105和步驟S106。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真軟件為Hspice。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真模擬為蒙特卡羅頻率大于10000或者高西格瑪的蒙特卡羅仿真模擬。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述三種極限條件包括：
在快NMOS慢PMOS，T＝125℃的條件下，進行讀功能操作的仿真；
在慢NMOS快PMOS，T＝-40℃的條件下，進行寫功能操作的仿真；
在慢NMOS慢PMOS，T＝125℃的條件下，進行動態(tài)讀功能操作的仿真。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真方法適用于內部SRAM的良率仿真預測。
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