[發明專利]具有管芯和穿襯底過孔的半導體器件

有效

• 申請號: 201410255113.6
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN104183597B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: X·應;A·V·薩莫伊洛夫;P·麥克納利;T·帕倫特
• 申請（專利權）人: 馬克西姆綜合產品公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L23/52
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種半導體器件，包括：

具有第一表面和第二表面的經加工的半導體晶片，其中所述經加工的半導體晶片包括設置在所述第一表面之上的導電層和設置在所述第二表面上的蝕刻出的凹槽；

具有第一表面和第二表面的集成電路管芯，其中所述集成電路管芯的所述第一表面通過粘結材料耦接到所述經加工的半導體晶片的所述第二表面，其中所述集成電路管芯包括導電焊盤；

過孔，所述過孔貫穿所述經加工的半導體晶片的所述第一表面直至所述經加工的半導體晶片的所述第二表面而形成，并且所述過孔延伸到所述凹槽中，其中所述過孔包括導電材料，所述導電材料被配置為將所述集成電路管芯的所述導電焊盤電耦接到所述經加工的半導體晶片，

其中所述凹槽被配置為容納所述集成電路管芯，所述凹槽被配置為具有傾斜側壁，并且所述凹槽被填充有模制材料或包封材料，以保護所述集成電路管芯，其中所述模制材料或包封材料不設置在所述集成電路管芯的所述第一表面和所述經加工的半導體晶片的所述第二表面之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述粘結材料包括苯并環丁烯(BCB)。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述過孔進一步包括被配置為將所述經加工的半導體晶片和所述粘結材料與設置在所述過孔中的所述導電材料電隔離的絕緣襯墊。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述絕緣襯墊至少實質上延伸穿過所述經加工的半導體晶片的厚度并且至少實質上延伸穿過所述粘結材料的厚度。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述絕緣襯墊包括二氧化硅。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述導電材料包括形成在所述絕緣襯墊之上的銅的籽晶層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電材料包括銅。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電材料從所述過孔延伸以在所述經加工的半導體晶片的所述第一表面附近形成再分布結構。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括電耦接到所述導電層的焊料凸塊組件。

10.一種電子器件，包括：

印刷電路板；以及

耦接到所述印刷電路板的半導體器件，所述半導體器件包括：

具有第一表面和第二表面的經加工的半導體晶片，其中所述經加工的半導體晶片包括設置在所述第一表面之上的導電層和設置在所述第二表面上的蝕刻出的凹槽；

具有第一表面和第二表面的集成電路管芯，其中所述集成電路管芯的所述第一表面通過粘結材料耦接到所述經加工的半導體晶片的所述第二表面，其中所述集成電路管芯包括導電焊盤；以及

過孔，所述過孔貫穿所述經加工的半導體晶片的所述第一表面直至所述經加工的半導體晶片的所述第二表面而形成，并且所述過孔延伸到所述凹槽中，其中所述過孔包括導電材料，所述導電材料被配置為將所述集成電路管芯的所述導電焊盤電耦接到所述經加工的半導體晶片，

其中所述凹槽被配置為容納所述集成電路管芯，所述凹槽被配置為具有傾斜側壁，并且所述凹槽被填充有模制材料或包封材料，以保護所述集成電路管芯，其中所述模制材料或包封材料不設置在所述集成電路管芯的所述第一表面和所述經加工的半導體晶片的所述第二表面之間。