[發(fā)明專利]一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410254082.2 | 申請日： | 2014-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN103997323B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 單一鐘;張寧;馬騰飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/22 | 分類號： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功耗 穩(wěn)定性 復(fù)位 電路 | ||
1.一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，至少包括：
POR電流產(chǎn)生模塊，用于在上電時產(chǎn)生POR電流對充放電模塊進行充電，并給掉電檢測模塊的放電通道提供電壓偏置；
掉電檢測模塊，連接該POR電流產(chǎn)生模塊，在電壓下降較大時開啟放電通道對該充放電模塊進行放電以產(chǎn)生復(fù)位輸出將后續(xù)電路復(fù)位；
充放電模塊，在POR電流和該掉電檢測模塊放電通道控制下發(fā)生充放電以按要求輸出原始復(fù)位電壓；
施密特整形模塊，將該充放電模塊輸出的原始復(fù)位電壓整形為上升下降延時小的規(guī)則的數(shù)字復(fù)位信號。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該POR電流產(chǎn)生模塊包括第一PMOS管、第二PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管，該第一PMOS管、第二PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管源極接電源正端，該第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管源極接電源負(fù)端，該第三NMOS管與該第四NMOS管的漏極和柵極各自短接形成有源電阻后構(gòu)成串聯(lián)分壓電路，該第三NMOS管源極與該第四NMOS管的漏極、柵極作為該電壓輸出端接至該掉電檢測模塊，該第三NMOS管漏極、柵極接該第一PMOS管與該第二PMOS管柵極、該第一PMOS管漏極，該第一PMOS管、該第二PMOS管背靠背連接構(gòu)成第一鏡像恒流源，該第二PMOS管漏極接該第五NMOS管、第六NMOS管柵極、該第五NMOS管漏極，該第五NMOS管、第六NMOS管背靠背連接構(gòu)成第二鏡像恒流源，該第六NMOS管漏極接該第七PMOS管、第八PMOS管柵極、該第七PMOS管漏極，該第七PMOS管、第八PMOS管背靠背連接構(gòu)成第三鏡像恒流源，該第八PMOS管漏極接該掉電檢測模塊、該施密特整形模塊及該充放電模塊。
3.如權(quán)利要求2所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該掉電檢測模塊包括第十PMOS管、第十一PMOS管、第九NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管和第一電阻，該第九NMOS管、第十二NMOS管、第十四NMOS管接電源負(fù)端，該第十一PMOS管源極、該第一電阻上端接電源正端，該第十三NMOS管與該第十四NMOS管的漏極和柵極各自短接形成有源電阻后與該第一電阻一起構(gòu)成串聯(lián)偏置電路，該第一電阻下端與該第十一PMOS管柵極、該第十三NMOS管漏極、柵極相連，該第十一PMOS管漏極與該第十PMOS管柵極、該第十二NMOS管漏極相連，該第十PMOS管漏極接該第九NMOS管漏極。
4.如權(quán)利要求3所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該第九NMOS管與該第十二NMOS管的柵極接該第三NMOS管源極、該第四NMOS管的漏極、柵極，該第十PMOS管源極接第八PMOS管漏極。
5.如權(quán)利要求4所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該施密特整形模塊包括第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十九PMOS管、第十七NMOS管、第十八NMOS管、第二十NMOS管、第二電阻、第三電阻，該第十八NMOS管源極接電源負(fù)端，該第十五PMOS管源極接電源正端，該第十五PMOS管漏極接該第十六PMOS管、該第十九PMOS管源極，該第十六PMOS管漏極與該第十七NMOS管漏極、該第十九PMOS管、該第二十NMOS管柵極相接構(gòu)成輸出端，該第十七NMOS管源極接該第十八NMOS管漏極、該第二十NMOS管源極，該第十九PMOS管漏極通過該第二電阻下拉至電源負(fù)端，該第二十NMOS管漏極通過第三電阻上拉至電源正端。
6.如權(quán)利要求5所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該第八PMOS管漏極接該第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七NMOS管、該第十八NMOS管柵極。
7.如權(quán)利要求6所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該充放電模塊為多個MOS電容或類型電容并聯(lián)構(gòu)成，其上端接該第八PMOS管的漏極輸出，下端接電源負(fù)端。
8.如權(quán)利要求7所述的一種低功耗高穩(wěn)定性的復(fù)位電路，其特征在于：該充放電模塊為一充放電電容，其上端接該第八PMOS管漏極，下端接電源負(fù)端。
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