[發(fā)明專利]監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410253190.8
• 申請(qǐng)日: 2014-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN103996636A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范榮偉;王洲男;陳宏璘;龍吟;顧曉芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路工藝的發(fā)展，硅片生產(chǎn)要進(jìn)行的工藝步驟越來(lái)越復(fù)雜，更先進(jìn)的工藝也逐步被引進(jìn)生產(chǎn)線，比如后段工藝的金屬阻擋刻蝕工藝。但是，這也帶來(lái)了一些不可避免的缺陷問(wèn)題，比如光刻工藝中的大顆粒缺陷，在干刻工藝后，由于大顆粒缺陷處的不規(guī)則的光阻被干刻工藝的等離子體轟擊，使得不規(guī)則的光阻非常容易保留電荷從而產(chǎn)生電弧放電，導(dǎo)致造成大面積的缺陷影響，如圖1至圖3所示。

具體地說(shuō)，對(duì)于圖1所示的光刻工藝，光刻膠10形成了圖案。此時(shí)，如圖2所示，大顆粒缺陷20處的不規(guī)則的光阻被干刻工藝的等離子體轟擊。從而在圖3所示的刻蝕后的溝槽中存在電荷30，從而產(chǎn)生電弧放電，導(dǎo)致造成大面積的缺陷影響。

目前，針對(duì)此類問(wèn)題，由于大顆粒缺陷數(shù)量非常低，在干刻工藝中無(wú)法觸發(fā)制造執(zhí)行系統(tǒng)使產(chǎn)品晶圓批次在某個(gè)工藝步驟保持不變(不允許其再進(jìn)行后續(xù)工藝)，只能通過(guò)在干刻工藝后監(jiān)控并作返工處理降低缺陷影響，但是很多缺陷無(wú)法去除，造成了良率的損失。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法，其提前將光刻工藝后的大顆粒缺陷檢測(cè)并及時(shí)在制造執(zhí)行系統(tǒng)中把硅片留住，并通過(guò)在光刻工藝步驟返工，避免其在后續(xù)工藝中造成更大影響。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法，包括：在預(yù)期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對(duì)晶圓進(jìn)行缺陷檢測(cè)；收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對(duì)缺陷信息進(jìn)行特征化分析以提取出特征信息；將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時(shí)直接通過(guò)制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住；將空間特征分析處理器通過(guò)制造執(zhí)行系統(tǒng)留住的硅片進(jìn)行返工處理。

優(yōu)選地，可以采用掃描機(jī)對(duì)晶圓進(jìn)行缺陷掃描。

優(yōu)選地，在將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通以使得在出現(xiàn)大顆粒缺陷時(shí)直接通過(guò)制造執(zhí)行系統(tǒng)將硅片留住的步驟中，掃描機(jī)將缺陷掃描數(shù)據(jù)傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執(zhí)行系統(tǒng)聯(lián)通，如果空間特征分析處理器根據(jù)掃描機(jī)傳遞的缺陷掃描數(shù)據(jù)自動(dòng)篩選出大顆粒缺陷，并且將篩選結(jié)果傳到制造執(zhí)行系統(tǒng)。

優(yōu)選地，制造執(zhí)行系統(tǒng)采用特定信息提醒操作人員。

優(yōu)選地，特定信號(hào)可包括語(yǔ)音提醒信息或者燈光提醒信或者文字信息。

優(yōu)選地，特征信息包括缺陷的周長(zhǎng)、面積、長(zhǎng)度和寬度。

通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明，可以有效預(yù)防光刻大顆缺陷的影響，為良率提升提供保障。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了將被討論的光刻工藝。

圖2示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中存在的顆粒缺陷。

圖3示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)中存在的顆粒缺陷導(dǎo)致造成的缺陷。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法的流程圖。

需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法的流程圖。

如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的監(jiān)控并消除大尺寸缺陷所導(dǎo)致的后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的方法包括：

第一步驟S1，用于在預(yù)期產(chǎn)生大顆粒缺陷的步驟對(duì)晶圓進(jìn)行缺陷檢測(cè)；具體地，例如可以采用掃描機(jī)對(duì)晶圓進(jìn)行缺陷掃描；

第二步驟S2，用于收集將造成后續(xù)工藝缺陷擴(kuò)散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對(duì)缺陷信息進(jìn)行特征化分析以提取出特征信息，比如缺陷的周長(zhǎng)、面積、長(zhǎng)度、寬度等等；