[發明專利]監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法

在審

• 申請號: 201410253190.8
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN103996636A
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發明（設計）人: 范榮偉;王洲男;陳宏璘;龍吟;顧曉芳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法，其特征在于包括：

在預期產生大顆粒缺陷的步驟對晶圓進行缺陷檢測；

收集將造成后續工藝缺陷擴散的缺陷信息，并將收集的缺陷信息傳送至空間特征分析處理器，以便對缺陷信息進行特征化分析以提取出特征信息；

將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執行系統聯通以使得在出現大顆粒缺陷時直接通過制造執行系統將硅片留住；

將空間特征分析處理器通過制造執行系統留住的硅片進行返工處理。

2.根據權利要求1所述的監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，采用掃描機對晶圓進行缺陷掃描。

3.根據權利要求2所述的監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，在將空間特征分析處理器提取的特征信息與制造執行系統聯通以使得在出現大顆粒缺陷時直接通過制造執行系統將硅片留住的步驟中，掃描機將缺陷掃描數據傳遞給空間特征分析處理器，空間特征分析處理器與制造執行系統聯通，如果空間特征分析處理器根據掃描機傳遞的缺陷掃描數據自動篩選出大顆粒缺陷，并且將篩選結果傳到制造執行系統。

4.根據權利要求3所述的監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，制造執行系統采用特定信息提醒操作人員。

5.根據權利要求4所述的監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，特定信號可包括語音提醒信息或者燈光提醒信或者文字信息。

6.根據權利要求1或2所述的監控并消除大尺寸缺陷所導致的后續工藝缺陷擴散的方法，其特征在于，特征信息包括缺陷的周長、面積、長度和寬度。