[發明專利]一種石墨烯基納米硅復合物電極材料的制備方法有效
| 申請號： | 201410253121.7 | 申請日： | 2014-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN104009212A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 馮金奎;慈立杰 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01M4/38 | 分類號： | H01M4/38 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221 | 代理人： | 崔苗苗 |
| 地址： | 250061 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 納米 復合物 電極 材料 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種石墨烯基納米硅復合物電極材料的制備方法，其特征是，包括步驟如下：
將氧化石墨烯與無機酸配成溶液，溶液中氧化石墨烯的質量濃度為0.01-50％，將硅合金粉末放入溶液中，0-90℃反應0.5-48小時，待反應無氣泡生成，過濾，將固體洗滌，真空干燥，即可得到硅/石墨烯復合物。
2.根據權利要求1所述的一種石墨烯基納米硅復合物電極材料的制備方法，其特征是，所用硅合金為硅鋁、硅鐵、硅鎂、硅鋰、鋁鋅硅或鋁鎂。
3.根據權利要求1所述的一種石墨烯基納米硅復合物電極材料的制備方法，其特征是，無機酸為鹽酸、硫酸、醋酸、草酸或磷酸。
4.根據權利要求1所述的一種石墨烯基納米硅復合物電極材料的制備方法，其特征是，所述的氧化石墨烯與硅合金中硅的質量比例為1:30～30:1。
5.根據權利要求1所述的一種石墨烯基納米硅復合物電極材料的制備方法，其特征是，所述的真空干燥溫度為80℃。
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