[發明專利]晶體器件以及晶體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201410253051.5
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN104242861B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 早坂太一;水沢周一
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03H9/125
• 分類號: H03H9/125;H03H3/007
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種通過無電鍍(electroless plating)形成外部電極的晶體器件(device)以及晶體器件的制造方法。

背景技術

已知有包括以規定的頻率進行振動的晶體振動片的表面安裝型晶體器件。在晶體器件的底面形成著外部電極，通過利用焊料(solder)將該外部電極與印刷(print)基板等接合，而將晶體器件接合到印刷基板。然而，由于外部電極直接接觸焊料，因此為了接合而被加熱的焊料的熱傳遞到外部電極，由此，有外部電極剝離或外部電極受到損傷的情況。而且，有因外部電極被焊料吸收而組成變化從而受到損傷的情況。

針對這種問題，例如專利文獻1中提出了，芯片(chip)型電子零件的外部電極包含鍍鎳等厚膜而形成。而且，提出了通過以這種方式將外部電極形成為厚膜而減輕外部電極受到的損傷。另一方面，專利文獻2中提出了通過無電鍍鎳而形成晶體器件的外部電極。

背景技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2000-252375號公報

專利文獻2：日本專利特開2012-44105號公報

然而，如專利文獻1及專利文獻2所示的包含鍍鎳層的外部電極存在幾個問題。第一，在通常的無電鍍中，鍍層中包含鉛(Pb)。在作為歐洲聯盟(European Union，EU)的指令的RoHS指令中對鉛的使用進行了限制，外部電極中的含鉛量必須為1000ppm以下。第二，晶體器件必須滿足抗跌落性及抗彎曲性的基準，但當單純地在外部電極的形成步驟中減少鉛的使用的情況下，難以滿足這種基準。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種減少外部電極的含鉛量、并且將抗跌落性及抗彎曲性維持得較高的晶體器件以及晶體器件的制造方法。

第1發明的晶體器件是表面安裝型晶體器件，其包含：晶體振動片，以規定的頻率進行振動；以及基地(base)板，由玻璃(glass)或晶體材料形成，在底面形成用來安裝晶體器件的外部電極，在底面的相反側一面載置晶體振動片。而且，外部電極包含：金屬膜，通過濺鍍(spatter)形成在基板的表面；以及無電鍍膜，通過無電鍍而形成在金屬膜的表面；并且無電鍍膜包含含有鉛及鉍(bismuth)的鎳層。

第2發明的晶體器件是在第1發明中，鉛相對于鎳層整體的體積的含量為90ppm～470ppm，鉍相對于鎳層整體的體積的含量為5600ppm～7000ppm。

第3發明的晶體器件是在第1發明及第2發明中，金屬膜至少包含鉻(chromium)層、鎳鎢(nickel tungsten)層以及金層，其中該鉻層形成在基板的表面，該鎳鎢層形成在鉻層的表面，該金層形成在鎳鎢層的表面。

第4發明的晶體器件是在第1發明至第3發明中，無電鍍膜是通過以下方式形成，即，通過無電鍍而在金屬膜的表面形成鈀(palladium)層，在鈀層的表面形成鎳層，在鎳層的表面形成金層。

第5發明的晶體器件的制造方法是表面安裝型晶體器件的制造方法，其包括如下步驟：準備多個晶體振動片；準備包含形成為矩形形狀的多個基板的基底晶片(wafer)；準備包含多個蓋板(lid plate)的蓋晶片；金屬膜形成步驟，在基底晶片的其中一個主面的區域通過濺鍍而形成金屬膜，其中該區域形成用來安裝晶體器件的外部電極；載置步驟，在基底晶片的另一個主面載置多個晶體振動片；接合步驟，將蓋晶片以密封晶體振動片的方式接合到基地晶片的另一個主面；以及無電鍍步驟，對基底晶片的其中一個主面實施無電鍍，從而在金屬膜的表面形成包含鎳層的無電鍍膜；并且鎳層的無電鍍是通過使基底晶片浸漬在含有鉛及鉍的電鍍液中而進行，電鍍液中所含的鉛的含量為0.05ml/L～0.20ml/L，鉍的含量為3.00ml/L。