[發明專利]晶體器件以及晶體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201410253051.5
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN104242861B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 早坂太一;水沢周一
• 申請（專利權）人: 日本電波工業株式會社
• 主分類號: H03H9/125
• 分類號: H03H9/125;H03H3/007
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 臧建明

1.一種晶體器件，其為表面安裝型晶體器件；其特征在于包含：

晶體振動片，以規定的頻率進行振動；以及

基板，由玻璃或晶體材料形成，在底面形成用來安裝所述晶體器件的外部電極，在所述底面的相反側一面載置所述晶體振動片；并且

所述外部電極包含：金屬膜，通過濺鍍而形成在所述基板的表面；及無電鍍膜，通過無電鍍而形成在所述金屬膜的表面；并且

所述無電鍍膜包含含有鉛及鉍的鎳層，

相對于所述鎳層整體的體積的所述鉛的含量為90ppm～470ppm，所述鉍的含量為5600ppm～7000ppm。

2.根據權利要求1所述的晶體器件，其特征在于：

所述金屬膜至少包含鉻層、鎳鎢層及金層，其中該鉻層形成在所述基板的表面，該鎳鎢層形成在所述鉻層的表面，該金層形成在所述鎳鎢層的表面。

3.根據權利要求1所述的晶體器件，其特征在于：

所述無電鍍膜通過以下方式形成，即，通過無電鍍在所述金屬膜的表面形成鈀層，在所述鈀層的表面形成所述鎳層，在所述鎳層的表面形成金層。

4.一種晶體器件的制造方法，所述晶體器件為表面安裝型晶體器件；所述晶體器件的制造方法的特征在于包括如下步驟：

準備多個晶體振動片；

準備包含形成為矩形形狀的多個基板的基底晶片；

準備包含多個蓋板的蓋晶片；

金屬膜形成步驟，在所述基底晶片的其中一個主面的區域通過濺鍍而形成金屬膜，其中該區域形成用來安裝所述晶體器件的外部電極；

載置步驟，在所述基底晶片的另一個主面載置所述多個晶體振動片；

接合步驟，將所述蓋晶片以密封所述晶體振動片的方式接合在所述基底晶片的另一個主面；以及

無電鍍步驟，對所述基底晶片的其中一個主面實施無電鍍，從而在所述金屬膜的表面形成包含鎳層的無電鍍膜；并且

所述鎳層的無電鍍是通過使所述基底晶片浸漬在含有鉛及鉍的電鍍液中而進行，

所述電鍍液中所含的所述鉛的含量為0.05ml/L～0.20ml/L，所述鉍的含量為3.00ml/L。

5.一種晶體器件的制造方法，其特征在于包括如下步驟：

準備包含多個晶體振動片的晶體晶片，該晶體振動片包含以規定的振動頻率進行振動的振動部、包圍所述振動部的框部、以及連結所述振動部與所述框部的連結部；

準備包含形成為矩形形狀的多個基板的基底晶片；

準備包含多個蓋板的蓋晶片；

金屬膜形成步驟，在所述基底晶片的其中一個主面的區域通過濺鍍而形成金屬膜，其中該區域形成用來安裝所述晶體器件的外部電極；

載置步驟，以在各所述基板的另一個主面分別載置所述晶體振動片的方式接合所述基底晶片與所述晶體晶片；

接合步驟，將所述蓋晶片以密封所述振動部的方式接合在所述晶體晶片；以及

無電鍍步驟，對所述基底晶片實施無電鍍，從而在所述金屬膜的表面形成包含鎳層的無電鍍膜；并且

所述鎳層的無電鍍是通過使所述基底晶片浸漬在含有鉛及鉍的電鍍液中而進行，

所述電鍍液中所含的所述鉛的含量為0.05ml/L～0.20ml/L，所述鉍的含量為3.00ml/L。

6.根據權利要求4或5所述的晶體器件的制造方法，其特征在于：

所述金屬膜至少包含鉻膜、鎳鎢膜及金膜，其中該鉻膜形成在所述基底晶片的表面，該鎳鎢膜形成在所述鉻膜的表面，該金膜形成在所述鎳鎢膜的表面。

7.根據權利要求4或5所述的晶體器件的制造方法，其特征在于：

所述無電鍍步驟是在形成所述鎳層之前通過無電鍍而形成鈀層，并且在所述鎳層的表面通過無電鍍而形成金層。