[發明專利]一種溝槽型MOS晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201410252719.4
• 申請日: 2014-06-09
• 公開（公告）號: CN104022041A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 劉偉;苗躍;王鵬飛;龔軼
• 申請（專利權）人: 蘇州東微半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 吳樹山

1.一種溝槽型MOS晶體管的制造方法，包括以下步驟：

（1）在第一種摻雜類型的半導體襯底內進行溝道離子注入，形成第二種摻雜類型的溝道摻雜區；

（2）在所述半導體襯底的表面形成硬掩膜層；

（3）采用光刻和刻蝕方法，在所述半導體襯底內形成U形凹槽；

其特征在于還包括：

（4）通過傾斜的離子注入方法在暴露出的溝道摻雜區表面進行氮離子摻雜；

（5）在所述U形凹槽的表面氧化形成第一層絕緣薄膜；

（6）淀積第一層導電薄膜并對該第一層導電薄膜進行刻蝕，刻蝕后的第一層導電薄膜低于所述半導體襯底的表面；

（7）淀積第二層絕緣薄膜并對該第二層絕緣薄膜進行刻蝕，刻蝕后的第二層絕緣薄膜低于所述硬掩膜層的表面；

（8）刻蝕掉硬掩膜層；

（9）進行離子注入，在所述半導體襯底內所述溝道摻雜區的頂部形成第一種摻雜類型的源區；

（10）進行光刻，暴露出部分所述第一種摻雜類型的源區；

（11）以光刻膠為掩模對暴露出的部分所述第一種摻雜類型的源區進行刻蝕，之后沿著該暴露處進行第二種摻雜類型的離子注入，在所述半導體襯底內形成與外部金屬接觸的溝道摻雜區的高摻雜濃度的摻雜區；

（12）去除光刻膠后淀積金屬層，形成與所述源區和溝道摻雜區接觸的源極金屬。

2.根據權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于步驟（1）和步驟（10）所述第一種摻雜類型為n型摻雜，則步驟（1）和步驟（11）所述第二種摻雜類型為p型摻雜。

3.根據權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于步驟（1）和步驟（10）所述第一種摻雜類型為p型摻雜，則步驟（1）和步驟（11）所述第二種摻雜類型為n型摻雜。

4.根據權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于步驟（5）所述第一層絕緣薄膜的材質為氧化硅。

5.根據權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于步驟（7）所述第二層絕緣薄膜的材質為氧化硅或氮化硅，其厚度為50～500納米。

6.根據權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于步驟(6)所述第一層導電薄膜的材質為摻雜的多晶硅或金屬導電材料。

7.根據權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的制造方法，其特征在于步驟（1）所述第二種摻雜類型的溝道摻雜區可在步驟（8）所述硬掩膜層被刻蝕掉后，通過離子注入方法在所述半導體襯底內形成。