[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410252218.6
• 申請日: 2012-01-31
• 公開（公告）號: CN103996670B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 山田啟壽;石田正明
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/552
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 徐殿軍

本申請為2012年1月31日提交的申請號為201210021621.9、發明名稱為《半導體裝置》的分案申請。

技術領域

本文描述的實施例一般地涉及半導體裝置。

背景技術

通常，當電流流過半導體元件或外圍電路時，在電流周圍感應出電場和磁場，從而產生不必要的電磁噪聲。不必要的電磁噪聲影響其它電路、元件等的運轉。例如，存在如下情況：安裝在諸如蜂窩電話等移動通信設備中的半導體裝置發射的電磁噪聲入射到天線上，從而引起對無線電波接收的干擾。

為了屏蔽這種電磁噪聲并且保護半導體元件，存在一種提供覆蓋電路模塊的屏蔽板的方法。然而，以屏蔽板覆蓋電路模塊的方法在電路模塊的尺寸縮小方面可能存在困難。

相反，存在一種半導體裝置(半導體封裝)，其中在半導體元件本身的外圍上形成屏蔽膜。通過在電路模塊中安裝這種半導體裝置，可以將電路模塊尺寸縮小。對于半導體元件而言需要更高的運轉速度，并且希望得到更多地屏蔽電磁噪聲的高可靠性半導體裝置。

發明內容

一個問題是獲得更多地屏蔽電磁噪聲的高可靠性半導體裝置。

通常，根據一個實施例，半導體裝置包括：電路基板、半導體元件、密封樹脂層和導電屏蔽層。所述電路基板包括：絕緣層、形成設置在所述絕緣層上表面側上的第一互連層的多個互連、形成設置在所述絕緣層下表面側上的第二互連層的多個互連，以及從所述絕緣層的所述上表面穿通到所述下表面的多個過孔。所述半導體元件安裝在所述電路基板的所述上表面側上。所述密封樹脂層設置在所述電路基板的所述上表面上并且將所述半導體元件密封。所述導電屏蔽層覆蓋所述密封樹脂層和所述電路基板的端部的一部分。將所述多個過孔中的任何一個與所述導電屏蔽層電連接。形成所述第二互連層的所述多個互連中的任何一個被電連接到能夠變為地電位的外部連接端子。

通常，根據另一個實施例，半導體裝置包括：電路基板、半導體元件、密封樹脂層和導電屏蔽層。所述電路基板包括：絕緣層、形成設置在所述絕緣層上表面側上的第一互連層的多個互連和形成設置在所述絕緣層下表面側上的第二互連層的多個互連。所述半導體元件安裝在所述電路基板的所述上表面側上。所述密封樹脂層設置在所述電路基板的所述上表面上并且將所述半導體元件密封。所述導電屏蔽層覆蓋所述密封樹脂層和所述電路基板的端部的一部分。形成所述第二互連層的所述多個互連不與所述導電屏蔽層接觸、被電連接到形成所述第一互連層的所述多個互連中的任何一個上并且被拉到(be drawn to)所述電路基板的端部以便在所述電路基板的側表面處暴露。

附圖說明

圖1是用于描述根據第一實施例的半導體裝置的概觀的示意性截面圖；

圖2A和2B是根據第一實施例的半導體裝置的示意性平面示圖；

圖3A和3B是根據第一實施例的半導體裝置的示意性平面示圖；

圖4A到4D是用于描述根據第一實施例的半導體裝置的制造過程的示意性截面圖；

圖5A和5B是用于描述屏蔽電磁噪聲的效果的仿真結果；

圖6是根據第二實施例的半導體裝置的示意性截面圖；

圖7A和7B分別是根據第三實施例的半導體裝置的示意性平面示圖和用于描述屏蔽效果的示圖；以及

圖8是根據第四實施例的半導體裝置的示意性截面圖。

具體實施方式

在下文中，將參考附圖描述實施例。在以下的描述中，以相同的附圖標記標注同樣的部件，并且適當地省略對已描述過的部件的描述。可以適當地將以下描述的實施例結合。

第一實施例

圖1是用于描述根據第一實施例的半導體裝置的概觀的示意性截面圖。

圖1示出根據第一實施例的半導體裝置1并且還示出安裝基板100，半導體裝置1安裝在該安裝基板100上。