[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410252218.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-01-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103996670B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山田啟壽;石田正明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/498 | 分類號(hào)： | H01L23/498;H01L23/552 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
電路基板，所述電路基板包括：絕緣層、設(shè)置在所述絕緣層的多個(gè)互連、和在所述絕緣層的側(cè)面露出的銅或鎢的切割面；
半導(dǎo)體元件，搭載于所述電路基板；
密封樹(shù)脂層，將所述半導(dǎo)體元件密封；
導(dǎo)電性屏蔽層，覆蓋所述密封樹(shù)脂層；以及
外部連接端子，連接于所述多個(gè)互連中的各個(gè)互連，
所述導(dǎo)電性屏蔽層被埋入形成在被切割的所述銅或鎢上，所述切割面與所述導(dǎo)電性屏蔽層接觸并被電連接，
所述多個(gè)互連中的任何一個(gè)互連和與其連接的所述外部連接端子能夠?yàn)榈仉娢唬?/p>
能夠?yàn)榈仉娢坏乃龌ミB被電連接到所述切割面，
能夠?yàn)榈仉娢坏乃鐾獠窟B接端子彼此相鄰的距離為，要屏蔽的電磁波的波長(zhǎng)的一半以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
能夠?yàn)榈仉娢坏乃鐾獠窟B接端子位于所述半導(dǎo)體元件的拐角及所述半導(dǎo)體元件的相鄰拐角之間的至少某一處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，
能夠?yàn)榈仉娢坏乃鐾獠窟B接端子是，所述導(dǎo)電性屏蔽層與地電位接觸的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
在所述半導(dǎo)體元件與所述電路基板之間形成有管芯鍵合材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
在所述電路基板的下側(cè)還具備圍繞所述外部連接端子的其他互連層，
所述其他互連層與能夠?yàn)榈仉娢坏乃鐾獠窟B接端子電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，
能夠?yàn)榈仉娢坏乃鐾獠窟B接端子與所述其他互連層的間隔被配置為，比要屏蔽的電磁波的波長(zhǎng)的1/2窄。
7.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
電路基板，所述電路基板包括：絕緣層、設(shè)置在所述絕緣層的多個(gè)互連、和在所述絕緣層的側(cè)面露出的銅或鎢的切割面；
半導(dǎo)體元件，搭載于所述電路基板；
密封樹(shù)脂層，將所述半導(dǎo)體元件密封；
導(dǎo)電性屏蔽層，覆蓋所述密封樹(shù)脂層；以及
外部連接端子，連接于所述多個(gè)互連中的各個(gè)互連，
所述導(dǎo)電性屏蔽層被埋入形成在被切割的所述銅或鎢上，所述切割面與所述導(dǎo)電性屏蔽層接觸并被電連接，
所述多個(gè)互連中的任何一個(gè)互連和與其連接的所述外部連接端子能夠?yàn)榈仉娢唬?/p>
能夠?yàn)榈仉娢坏乃龌ミB被電連接到所述切割面，
能夠?yàn)榈仉娢坏乃鐾獠窟B接端子彼此相鄰的距離為，頻率是50MHz～2.5GHz中的任意一個(gè)的電磁波的波長(zhǎng)的一半以下。
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