[發明專利]一種引線框架鍍銅方法及引線框架、引線框架排

有效

• 申請號: 201410250793.2
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104112705B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 鄭康定;曹光偉;馮小龍;段華平;馬葉軍
• 申請（專利權）人: 寧波康強電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/495
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(普通合伙)33243
• 代理人: 張向飛

技術領域

本發明屬于半導體制造領域，涉及一種引線框架，特別是一種更易制造的引線框架和引線框架排。

背景技術

半導體封裝技術已經是非常成熟的工藝，引線框架是引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架。

目前引線框架基本上均采用銅基合金作為主要材料。但是隨著銅價的上漲，引線框架的成本大幅上升，給企業帶來了很大壓力。如何采用新材料替代銅合金已經成為亟待解決的問題。現有技術為解決該問題提供了多種解決方案，例如申請號為CN201010152911.8的中國專利“應用在功率半導體元器件中的鋁合金引線框架”，其采用鋁合金作為基體材料，并電鍍多層電鍍層，此種方案結構過于復雜。又如申請號為CN200780011289.5的中國專利“用于半導體QFN/SON器件的鋁引線框架”，其將鋅層和鎳層鍍在引線段沒有被封裝材料覆蓋的部分，其成本較高。

另外，隨著半導體集成化程度越來越高，對半導體器件的尺寸要求越來越小，而對處理能力的高要求使得芯片在尺寸和體積上縮減的空間有限，因此如何小型化主要在封裝結構上。如何提供一種能夠減小封裝結構的體積，是行業內都在考慮的問題。

發明內容

本發明的目的是針對現有的技術存在上述問題，提出了一種引線框架和引線框架排。

本發明的目的可通過下列技術方案來實現：提供一種引線框架鍍銅方法，所述引線框架基體由鋁合金制成，所述鍍銅方法包括步驟：

S1：脫脂去油，藥水成分及含量：

氫氧化鈉：30-45％，偏硅酸鈉：35-40％，除油劑：40g/L，在50℃-70℃進行脫脂去油；

S2：預鍍：電鍍液配方及含量為：

硫酸鎳：300-700g/L，硫酸鈉：8-10g/L，氯化鎳：20-25g/L，氯化鈉：2-5g/L；

電鍍參數為：溫度：80-90℃，電流密度：150-170A/dm²，電鍍液PH：3-4；

S3：鍍銅：電鍍液配方及含量為：

硫酸銅：130-150g/L，氯化銅：20-30g/L，鹽酸：30-40mol/L，銅光亮劑：0.1-0.3g/L。

進一步地，在步驟S1和S2之間還包括浸鋅步驟，所述浸鋅步驟包括：

一次浸鋅步驟：將去油后的鋁合金基體放入鋅離子濃度為35-45g/L，三氧化鐵濃度為60-70g/L，氫氧化鈉濃度為200-250g/L的混合溶液中浸鋅，浸鋅溫度55-60℃；而后再用溫度為50℃的清水洗滌；

一次酸洗步驟：將一次浸鋅后的鋁合金基體放入濃度為50-100g/L，溫度為30-40℃的硝酸溶液酸洗；

二次浸鋅步驟：將酸洗后的鋁合金基體放入每升含有350-400克氧化鐵，55-75克氫氧化鈉的混合液中二次浸鋅，混合液溫度為55-60℃；

二次酸洗步驟：將二次浸鋅后的鋁合金基體放入濃度為700-750g/L的硝酸溶液中二次酸洗，酸洗時間20-30分鐘，酸洗溫度55-70℃；

三次浸鋅步驟：將二次酸洗后的鋁合金基體放入鋅離子濃度為20-30g/L的溶液中三次浸鋅，三次浸鋅溫度20-30℃。

進一步地，在步驟S3后還包括抗氧化處理步驟；將鍍銅后的引線框架放入苯并三氮唑濃度為1g/L,，硫酸鋅濃度為0.6g/L，硫基苯并噻唑濃度為2g/L的混合液中處理5-10分鐘。

進一步地，所述鋁合金按照質量百分比包括：鎂：0.4-1.5％、硅：0.02-0.8％、銅：0.2-0.5％、錳：0.02-0.2％、鉻：0.1-0.3％、鋯：0.05-0.25％，余量為鋁和不可避免的雜質。

進一步地，鍍鋅層厚度為0.1-0.5微米，鍍鎳層厚度為0.2-3微米，鍍銅層厚度為3-20微米。

本發明還提供一種引線框架，其包括芯片座和分布在所述芯片座一側的多根引線，所述多根引線包括芯片引線和接腳引線，所述芯片引線與所述芯片座連接，所述接腳引線與所述芯片座斷開，所述多根引線為片狀并在同一平面上，所述芯片座為片狀且與所述引線所在平面平行而不共面。

在上述的引線框架中，所述多根引線相互平行。

本發明還提供一種引線框架排，為一金屬條中沖壓或蝕刻形成的多個依次連接的上述的引線框架，每個所述連接片一側與所述引線框架的另一側連接，多個所述連接片前后相接成一排。