[發明專利]一種引線框架鍍銅方法及引線框架、引線框架排

有效

• 申請號: 201410250793.2
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104112705B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 鄭康定;曹光偉;馮小龍;段華平;馬葉軍
• 申請（專利權）人: 寧波康強電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/495
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(普通合伙)33243
• 代理人: 張向飛

1.一種引線框架鍍銅方法，所述引線框架基體由鋁合金制成，其特征在于：所述鍍銅方法包括步驟：

S1：脫脂去油，藥水成分及含量：

氫氧化鈉：45％，偏硅酸鈉：40％，除油劑：40g/L，在50℃-70℃進行脫脂去油；

S2：預鍍：電鍍液配方及含量為：

硫酸鎳：700g/L，硫酸鈉：10g/L，氯化鎳：25g/L，氯化鈉：5g/L；

電鍍參數為：溫度：90℃，電流密度：170A/dm²，電鍍液pH：4；

S3：鍍銅：電鍍液配方及含量為：

硫酸銅：150g/L，氯化銅：30g/L，鹽酸：40mol/L，銅光亮劑：0.3g/L；

其中所述鋁合金按照質量百分比包括：鎂：1.5％、硅：0.8％、銅：0.2％、錳：0.2％、鉻：0.3％、鋯：0.25％，余量為鋁以及不可避免的雜質；

在步驟S1和S2之間還包括浸鋅步驟，所述浸鋅步驟包括：

一次浸鋅步驟：將去油后的鋁合金基體放入鋅離子濃度為45g/L，三氧化鐵濃度為70g/L，氫氧化鈉濃度為250g/L的混合溶液中浸鋅，浸鋅溫度60℃；而后再用溫度為50℃的清水洗滌；

一次酸洗步驟：將一次浸鋅后的鋁合金基體放入濃度為100g/L，溫度為40℃的硝酸溶液酸洗；

二次浸鋅步驟：將酸洗后的鋁合金基體放入每升含有400克氧化鐵，75克氫氧化鈉的混合液中二次浸鋅，混合液溫度為60℃；

二次酸洗步驟：將二次浸鋅后的鋁合金基體放入濃度為750g/L的硝酸溶液中二次酸洗，酸洗時間25分鐘，酸洗溫度55℃；

三次浸鋅步驟：將二次酸洗后的鋁合金基體放入鋅離子濃度為25g/L的溶液中三次浸鋅，三次浸鋅溫度25℃；

抗氧化處理；將鍍銅后的引線框架放入苯并三氮唑濃度為1g/L，硫酸鋅濃度為0.6g/L，硫基苯并噻唑濃度為2g/L的混合液中處理5-10分鐘。

2.根據權利要求1所述的引線框架鍍銅方法，其特征在于：鍍鋅層厚度為0.1-0.5微米，鍍鎳層厚度為0.2-3微米，鍍銅層厚度為3-20微米。

3.一種由權利要求1或2所述的引線框架鍍銅方法制得的引線框架，其特征在于：包括芯片座和分布在所述芯片座一側的多根引線，所述多根引線包括芯片引線和接腳引線，所述芯片引線與所述芯片座連接，所述接腳引線與所述芯片座斷開，所述多根引線為片狀并在同一平面上，所述芯片座為片狀且與所述引線所在平面平行而不共面。

4.根據權利要求3所述的引線框架，其特征在于：所述多根引線相互平行。

5.一種引線框架排，其特征在于：為一金屬條中沖壓或蝕刻形成的多個依次連接的權利要求3或4所述的引線框架，每個連接片一側與芯片座的另一側連接，多個連接片前后相接成一排。

6.如權利要求5所述的引線框架排，其特征在于：每個所述連接片與所述引線框架的芯片座相接，且相接處的表面刻有至少一道槽，所述槽延伸至相接處的整個延伸長度。

7.如權利要求6所述的引線框架排，其特征在于所述槽的深度大于所述連接片厚度的十分之一。