[發(fā)明專利]陶瓷電子部件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410250665.8
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104240947A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 浜中建一;善哉孝太;出倉卓;前川清隆
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李逸雪

1.一種陶瓷電子部件，具備：

層疊體，其交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極、且呈長方體狀；和

外部電極，其設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分、且與所述內(nèi)部電極電連接，

所述外部電極包含：

內(nèi)側(cè)外部電極，其覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分、且由樹脂成分和金屬成分的混合物構(gòu)成；和

外側(cè)外部電極，其覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極、且由金屬成分構(gòu)成，

所述內(nèi)側(cè)外部電極包含多個(gè)孔部，

所述多個(gè)孔部的平均開口直徑為2.5μm以下，

所述多個(gè)孔部之中的一部分或者全部由所述外側(cè)外部電極的所述金屬成分來掩埋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其中，

所述外側(cè)外部電極以99.8％以上的覆蓋率來覆蓋所述內(nèi)側(cè)外部電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷電子部件，其中，

所述外側(cè)外部電極的所述金屬成分為Ni。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，其中，

作為金屬成分，所述內(nèi)側(cè)外部電極包含第1金屬成分、和熔點(diǎn)比該第1金屬成分高的第2金屬成分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷電子部件，其中，

所述第1金屬成分為Sn，

所述第2金屬成分為Ag或Cu。

6.一種陶瓷電子部件的制造方法，具備：

準(zhǔn)備交替地層疊有陶瓷層和內(nèi)部電極的長方體狀的層疊體的工序；和

按照與所述內(nèi)部電極電連接的方式將外部電極設(shè)置在所述層疊體的表面的一部分的工序，

設(shè)置所述外部電極的工序包括：

按照覆蓋所述層疊體的所述表面的一部分的方式涂敷樹脂成分和金屬成分的混合物，對涂敷了所述混合物的所述層疊體進(jìn)行加熱，由此來設(shè)置內(nèi)側(cè)外部電極的工序；和

按照覆蓋該內(nèi)側(cè)外部電極的方式鍍敷金屬成分來設(shè)置外側(cè)外部電極的工序，

在設(shè)置所述內(nèi)側(cè)外部電極的工序中，通過對所述層疊體進(jìn)行加熱，由此在所述內(nèi)側(cè)外部電極的外表面形成了具有2.5μm以下的平均開口直徑的多個(gè)孔部，

在設(shè)置所述外側(cè)外部電極的工序中，所述多個(gè)孔部之中的一部分或者全部由所述外側(cè)外部電極的所述金屬成分來掩埋。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

所述外側(cè)外部電極的所述金屬成分為Ni。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

所述內(nèi)側(cè)外部電極的金屬成分包含第1金屬成分、和熔點(diǎn)比該第1金屬成分高的第2金屬成分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

在所述混合物中，所述第1金屬成分的含有率為20重量％以上且40重量％以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

在所述混合物中，所述第2金屬成分的含有率為30重量％以上且70重量％以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

所述第1金屬成分為Sn，

所述第2金屬成分為Ag或Cu。

12.根據(jù)權(quán)利要求6至11中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

在設(shè)置所述內(nèi)側(cè)外部電極的工序中，對所述層疊體進(jìn)行加熱的溫度為450℃以上。

13.根據(jù)權(quán)利要求6至12中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，

在設(shè)置所述內(nèi)側(cè)外部電極的工序中，在100ppm以下的氧濃度的氣氛下對所述層疊體進(jìn)行加熱。