[發(fā)明專利]電容放大電路及采用該電容放大電路的電壓調(diào)節(jié)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410247724.6
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN104049665A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王才寶;王釗
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 無錫互維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種電容放大電路及采用該電容放大電路的電壓調(diào)節(jié)電路。

【背景技術(shù)】

在集成電路中經(jīng)常采用信號放大電路，為了保證信號輸出穩(wěn)定，通常需要加入補償電容以環(huán)路穩(wěn)定性補償。集成電路制造工藝中，20uM*20uM面積可以制造的電容大小大約為：PIP(Poly-Insulation-Poly)類型的300fF；MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)類型的800fF；MIM(Metal-Insulation-Metal)類型的800fF，而同樣20uM*20uM的面積制造的高阻值電阻可達500K歐姆以上。

由于受電路每級最大增益以及匹配性的限制，一般信號放大電路中的補償電容需要10pF～20pF以上(1pF＝1000fF)，因此補償電容占據(jù)了很大的面積，尤其PIP類型的電容占據(jù)面積更大。為了減少補償電容的面積，同時也能達到補償?shù)男ЧF(xiàn)有技術(shù)中可以采用電容放大器(Capacitor?Larger)進行環(huán)路補償，這樣可以大大減小補償電容的面積。

然而，即便是利用電容放大器進行環(huán)路補償，其需要的電容仍然還是占用了較大的芯片面積，因此有必要進一步減小補償電容在集成電路中占用的面積。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的在于提供一種電容放大電路，其可以對補償電容進行更高倍數(shù)的放大，這樣在滿足補償要求的情況下，進一步減小了補償電容的面積。

本發(fā)明的目的在于提供一種電壓調(diào)節(jié)器，其采用上述電容放大電路進行環(huán)路補償，這樣在滿足補償要求的情況下，進一步減小了補償電容的面積。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出一種電容放大電路，其包括：補償電容和補償電阻；第一場效應(yīng)晶體管，其包括漏極、源級和柵極；第二場效應(yīng)晶體管，其包括漏極、源級和柵極，其中第一場效應(yīng)晶體管的源級與第二場效應(yīng)晶體管的源級均與第一電源端相連，第一場效應(yīng)晶體管的柵級經(jīng)由補償電阻與第二場效應(yīng)晶體管的柵級相連，第一場效應(yīng)晶體管的柵級與第一場效應(yīng)晶體管的漏極相連，第二場效應(yīng)晶體管的柵極經(jīng)由補償電容與第二場效應(yīng)晶體管的漏極相連；第一電流源，其具有與第一場效應(yīng)晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端；第二電流源，其具有與第二場效應(yīng)晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端。

進一步的，第二場效應(yīng)晶體管的寬長比與第一場效應(yīng)晶體管的寬長比之比為K，K為正整數(shù)，第二電流源提供的電流與第一電流源提供的電流的比為K。

進一步的，第一場效應(yīng)晶體管和第二場效應(yīng)晶體管為PMOS場效應(yīng)晶體管，此時第一電源端為輸入電壓端，第二電源端為接地端，第一電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端；第二電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端。

進一步的，第一場效應(yīng)晶體管和第二場效應(yīng)晶體管為NMOS場效應(yīng)晶體管，

此時第一電源端為接地端，第二電源端為輸入電壓端，第一電流源的第一連接端為電流輸出端，第二連接端為電流輸入端；第二電流源的第一連接端為電流輸出端，第二連接端為電流輸入端。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提出另一種電容放大電路，其包括：補償電容、補償電阻和放大器；第一場效應(yīng)晶體管，其包括漏極、源級和柵極；第二場效應(yīng)晶體管，其包括漏極、源級和柵極，其中第一場效應(yīng)晶體管的源級與第二場效應(yīng)晶體管的源級均與第一電源端相連，第一場效應(yīng)晶體管的柵級經(jīng)由補償電阻與第二場效應(yīng)晶體管的柵級相連，第一場效應(yīng)晶體管的柵級與第一場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述放大器的輸入端與第二場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述放大器的輸出端與補償電容的一端相連，補償電容的另一端與第二場效應(yīng)晶體管的柵極相連；第一電流源，其具有與第一場效應(yīng)晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端；第二電流源，其具有與第二場效應(yīng)晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端。

進一步的，第二場效應(yīng)晶體管的寬長比與第一場效應(yīng)晶體管的寬長比之比為K，K為正整數(shù)，第二電流源提供的電流與第一電流源提供的電流的比為K。

進一步的，第一場效應(yīng)晶體管和第二場效應(yīng)晶體管為PMOS場效應(yīng)晶體管，

此時第一電源端為輸入電壓端，第二電源端為接地端，第一電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端；第二電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端。

進一步的，第一場效應(yīng)晶體管和第二場效應(yīng)晶體管為NMOS場效應(yīng)晶體管，