[發明專利]電容放大電路及采用該電容放大電路的電壓調節電路有效
| 申請號： | 201410247724.6 | 申請日： | 2014-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN104049665A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 王才寶;王釗 | 申請（專利權）人： | 無錫中星微電子有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 龐聰雅 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容 放大 電路 采用 電壓 調節 | ||
1.一種電容放大電路，其特征在于，其包括：
補償電容和補償電阻；
第一場效應晶體管，其包括漏極、源級和柵極；
第二場效應晶體管，其包括漏極、源級和柵極，其中第一場效應晶體管的源級與第二場效應晶體管的源級均與第一電源端相連，第一場效應晶體管的柵級經由補償電阻與第二場效應晶體管的柵級相連，第一場效應晶體管的柵級與第一場效應晶體管的漏極相連，第二場效應晶體管的柵極經由補償電容與第二場效應晶體管的漏極相連；
第一電流源，其具有與第一場效應晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端；
第二電流源，其具有與第二場效應晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端。
2.根據權利要求1所述的電容放大電路，其特征在于，第二場效應晶體管的寬長比與第一場效應晶體管的寬長比之比為K，K為正整數，
第二電流源提供的電流與第一電流源提供的電流的比為K。
3.根據權利要求1所述的電容放大電路，其特征在于，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為PMOS場效應晶體管，
此時第一電源端為輸入電壓端，第二電源端為接地端，
第一電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端；
第二電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端。
4.根據權利要求1所述的電容放大電路，其特征在于，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為NMOS場效應晶體管，
此時第一電源端為接地端，第二電源端為輸入電壓端，
第一電流源的第一連接端為電流輸出端，第二連接端為電流輸入端；
第二電流源的第一連接端為電流輸輸出端，第二連接端為電流輸入端。
5.一種電容放大電路，其特征在于，其包括：
補償電容、補償電阻和放大器；
第一場效應晶體管，其包括漏極、源級和柵極；
第二場效應晶體管，其包括漏極、源級和柵極，其中第一場效應晶體管的源級與第二場效應晶體管的源級均與第一電源端相連，第一場效應晶體管的柵級經由補償電阻與第二場效應晶體管的柵級相連，第一場效應晶體管的柵級與第一場效應晶體管的漏極相連，所述放大器的輸入端與第二場效應晶體管的漏極相連，所述放大器的輸出端與補償電容的一端相連，補償電容的另一端與第二場效應晶體管的柵極相連；
第一電流源，其具有與第一場效應晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端；
第二電流源，其具有與第二場效應晶體管的漏極相連的第一連接端和與第二電源端相連的第二連接端。
6.根據權利要求5所述的電容放大電路，其特征在于，第二場效應晶體管的寬長比與第一場效應晶體管的寬長比之比為K，K為正整數，
第二電流源提供的電流與第一電流源提供的電流的比為K。
7.根據權利要求5所述的電容放大電路，其特征在于，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為PMOS場效應晶體管，
此時第一電源端為輸入電壓端，第二電源端為接地端，
第一電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端；
第二電流源的第一連接端為電流輸入端，第二連接端為電流輸出端。
8.根據權利要求5所述的電容放大電路，其特征在于，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為NMOS場效應晶體管，
此時第一電源端為接地端，第二電源端為輸入電壓端，
第一電流源的第一連接端為電流輸出端，第二連接端為電流輸入端；
第二電流源的第一連接端為電流輸輸出端，第二連接端為電流輸入端。
9.一種電壓調節電路，特征在在于，其包括如權利要求1-8任一所述的電容放大電路。
10.根據權利要求9所述的電壓調節電路，其特征在于，所述電壓調節電路為低壓差穩壓器或DC-DC電壓調節器。
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