[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410247229.5
• 申請日: 2014-06-06
• 公開（公告）號: CN104241257B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 山道新太郎;岡本學;本多廣一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

布線板；

第一半導體芯片，安裝在所述布線板的第一表面上，并且該第一半導體芯片在平面圖中是長方形；以及

第二半導體芯片，設置在所述第一半導體芯片上，

其中，所述第一半導體芯片具有面對所述第一表面的元件形成表面，并且具有多個第一直通硅通孔，

其中，所述第二半導體芯片被電耦接到所述第一半導體芯片的所述第一直通硅通孔，

其中，當與所述第一半導體芯片的長邊平行的方向被定義為行方向并且與所述第一半導體芯片的長邊垂直的方向被定義為列方向時，所述第一直通硅通孔的每一個被布置在網格點的任一個上，所述網格點被布置成m行和n列，其中m＞n，并且

其中，如沿著所述第一半導體芯片的短邊所取的橫截面上所觀察到的，通過耦接被布置在m行和n列中的最外面的網格點而定義的直通硅通孔區域的中心在第一方向上偏離于所述第一半導體芯片的短邊的中心。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，所述第二半導體芯片具有多個第二直通硅通孔，并且

其中，第三半導體芯片設置在所述第二半導體芯片上并且被電耦接到所述第二半導體芯片的所述第二直通硅通孔。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

其中，如在平面圖中所觀察到的，至少一些所述第二直通硅通孔與所述第一直通硅通孔中的任一個重疊。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中在沿著所述第一半導體芯片的短邊所取的橫截面上，所述第一半導體芯片的中心不與所述第二半導體芯片的中心對齊。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中所述第一半導體芯片包括多個連接端子，所述多個連接端子被設置在所述元件形成表面上并耦接到所述布線板，

其中所述第一半導體芯片包括電路形成區域，在所述電路形成區域中形成電路，并且

其中在平面圖中，至少一些所述連接端子位于所述直通硅通孔區域與所述電路形成區域之間。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中所述第一半導體芯片包括多個連接端子，所述多個連接端子被設置在所述元件形成表面上，沿著所述第一半導體芯片的所述短邊被布置，并被耦接到所述布線板，并且

其中，在與所述第一半導體芯片的所述長邊平行的方向上，在與所述直通硅通孔區域重疊的區域中的每單位長度的所述連接端子的數量少于在不與所述直通硅通孔區域重疊的區域中的每單位長度的所述連接端子的數量。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中所述第二半導體芯片是存儲芯片，

其中所述第一半導體芯片在平面圖中與所述第一直通硅通孔重疊的區域和其周圍，包括控制所述第二半導體芯片的存儲器控制電路。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，當所述第一半導體芯片被在與所述直通硅通孔區域的長邊平行的方向上從所述直通硅通孔區域延伸的區域分成第一區域以及比所述第一區域小的第二區域時，所述第一半導體芯片在所述第一區域中具有與所述第二半導體芯片通信的第一邏輯電路。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中，如在平面圖中所觀察到的，所述第二半導體芯片比所述第一半導體芯片的兩個長邊延伸出更多，并且所述第二半導體芯片在第一方向上從其中一條長邊延伸的延伸量比從另一條長邊的延伸量大，

其中所述半導體器件包括：

第一密封樹脂，密封所述第一半導體芯片和所述布線板之間的空間；以及

第二密封樹脂，密封所述第二半導體芯片和所述布線板之間的空間，并且

其中，如在平面圖中所觀察到的，所述第一密封樹脂比所述第一半導體芯片的兩個長邊延伸出更多，并且所述第一密封樹脂在第一方向上從其中一條長邊延伸的延伸量比從另一條長邊的延伸量大。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

其中所述直通硅通孔區域的長邊的長度是所述直通硅通孔區域短邊的長度的十倍或者更多倍。