[發明專利]一種磷硅玻璃鈍化膜的優化方法

在審

• 申請號: 201410244676.5
• 申請日: 2014-06-05
• 公開（公告）號: CN105226033A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工大華生電子有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/316
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于半導體器件磷硅玻璃鈍化膜保護領域，涉及鈍化膜生長方法和鈍化膜保護的方法。

背景技術

半導體表面鈍化工藝已經成為半導體工藝技術領域中最重要技術。而生產中Na⁺是影響半導體表面狀態和表面漏電流的重要因素，它將引起小電流下的電流放大和擊穿電壓下降，使電壓產生漂移。而磷硅玻璃（PSG）膜具有提取、固定和阻擋Na⁺的作用，起到了對器件的鈍化和保護作用。雖然磷硅玻璃具有一定的束縛鈉離子能力和降低表面漏電流的作用，但是磷硅玻璃鈍化膜極其不穩定，刻蝕時易側侵和潮解。

發明內容

本發明的目的在于提供一種磷硅玻璃鈍化膜的工藝優化方法，可以解決磷硅玻璃易潮解和側侵蝕的難題。

本發明的技術方案如下：

一種具有束縛鈉離子能力和降低表面漏電流的一種鈍化膜，其鈍化膜優化包括磷硅玻璃鈍化膜(PSG)中磷含量的控制；一磷硅玻璃鈍化膜防刻蝕鉆蝕和側侵；一磷硅玻璃鈍化膜防潮解措施。

所述磷硅玻璃（PSG）鈍化膜雖然有束縛鈉離子的作用，但PSG鈍化膜中含磷量的多少直接影響其鈍化效果。含磷量太少，起不到束縛Na+的作用；而含磷量太高，光刻刻蝕時極易鉆蝕.另外PSG膜因本身易吸潮，不能長久存放。因此為解決PSG的這些缺點，提出了一種磷硅玻璃鈍化膜的優化方法。首先通過磷硅玻璃鈍化膜(PSG)最佳生長溫度和時間和源流量控制磷的含量；其次對磷硅玻璃鈍化膜進行磷處理；再次對磷硅玻璃鈍化膜進行PECVD氮化硅保護。

附圖說明

圖1為本發明工藝最佳實施工藝步驟的具體實施方案。

圖2a、圖2b、圖2c、圖2d為器件形成工藝步驟的縱向剖面圖結構示意圖及結構原理示意圖。

其中圖2中：1代表二氧化硅層；2代表磷硅玻璃層；3代表PECVD氮化硅層

圖3a、圖3b為本發明采用不進行工藝優化和進行工藝優化后的刻蝕效對比示意圖。

圖4為經過磷硅玻璃鈍化工藝優化前后的漏電流測試的柱形對比示意圖。