[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201410244058.0
• 申請日: 2014-06-04
• 公開（公告）號: CN104007571B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 王海宏;焦峰
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/1333
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司32218
• 代理人: 夏平,李德濺

技術領域

?本發明涉及液晶顯示器制造技術領域，具體地說是一種通過在第一金屬層的端子刻孔部位上方加設刻孔阻擋層來防止端子短路的陣列基板及其制造方法。

背景技術

傳統的CRT顯示器依靠陰極射線管發射電子撞擊屏幕上的熒光粉來顯示圖像，但液晶顯示的原理則完全不同。通常，液晶顯示（LCD）裝置具有上基板和下基板，彼此有一定間隔和互相正對。形成在兩個基板上的多個電極相互正對。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上，然后根據所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因為如上所述液晶顯示裝置不發射光，它需要光源來顯示圖像。因此，液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。該液晶顯示器的兩塊偏光片之間夾有玻璃基板、彩色濾光片、電極、液晶層和晶體管薄膜，液晶分子是具有折射率及介電常數各向異性的物質。背光源發出的光線經過下偏光片，成為具有一定偏振方向的偏振光。晶體管控制電極之間所加電壓，而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向，偏振光透過相應的彩膜色層后形成單色偏振光，如果偏振光能夠穿透上層偏光片，則顯示出相應的顏色；電場強度不同，液晶分子的偏轉角度也不同，透過的光強不一樣，顯示的亮度也不同。通過紅綠藍三種顏色的不同光強的組合來顯示五顏六色的圖像。

陣列基板上的端子為連接掃描線、數據線和外部驅動IC的接口。一般在陣列基板上會設置掃描線端子和數據線端子，由于數據線一般會是掃描線的好幾倍，所以數據線端子數量會比掃描線端子多，而且間隔更小，數據線端子間距為12.5um，掃描線端子間距為27.5um，由于數據線端子間隔小，發生短路的概率也相對較大。端子部基本構造一般為條狀掃描線上面覆蓋ITO，后續會通過壓接工程與對應的COF連接。

在高開口設計中，會在SD絕緣層上制作有機絕緣層（以下稱為JAS層），可以有效的提高開口率。JAS層為2um以上的有機材料層。在JAS機種端子部會通過刻孔工程將JAS層和絕緣層去除，露出數據線端子和掃描線端子，然后制作ITO電極。但是此時由于JAS層邊緣的高段差會導致光刻膠發生曝光不充分殘留，導致端子間ITO電極層（透明電極層）殘留并引起端子短路。如圖1所示，使用JAS材料時，端子處發生短路的不良現象，主要表現為端子之間的ITO電極發生殘留。如圖2所示，ITO電極層4的圖形化為陣列基板形成最后一步驟，在此步驟形成像素電極、接觸孔電極及端子電極；首先是在陣列基板上形成整面的ITO電極層4圖形，然后涂布光刻膠6。如圖3所示，對光刻膠6進行曝光顯影，由于JAS材料較厚（一般2-3um）所以在JAS層3底部邊緣的光刻膠6相對于其他地方較厚，無法進行充分的曝光，導致在顯影時出現光刻膠6殘留。如圖4所示，進行ITO電極層4的圖形化時由于光刻膠6的保護，JAS層3邊緣的ITO電極材料無法被刻蝕掉，而殘留下來，這導致了端子之間的ITO電極連接短路。如圖5所示，為B-B處界面示意，端子之間ITO電極殘留導致端子短路發生。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術存在的問題，提供一種通過在第一金屬層的端子刻孔部位上方加設刻孔阻擋層來防止端子短路的陣列基板及其制造方法。

本發明的目的是通過以下技術方案解決的：

一種陣列基板，包括襯底基板、第一金屬層、位于源漏極絕緣層上的JAS層和ITO電極層，在陣列制程中由第一金屬層形成數據線端子和掃描線端子，其特征在于：在數據線端子和掃描線端子的刻孔部位的上方設有位于柵極絕緣層和源漏極絕緣層之間的刻孔阻擋層，以使得ITO電極層圖形化時位于JAS層邊緣的ITO電極層產生的殘留存在于刻孔阻擋層之上。

所述的刻孔阻擋層和第一金屬層之間具有柵極絕緣層。

所述的刻孔阻擋層為第二金屬層或半導體有源層。

所述的刻孔阻擋層覆蓋在數據線端子和掃描線端子的刻孔部位的上方。

所述的刻孔阻擋層為連續型圖案或者間斷型圖案。

連續型圖案的刻孔阻擋層的寬度不小于數據線端子和掃描線端子的寬度。

間斷型圖案的刻孔阻擋層的寬度不小于任一個數據線端子和掃描線端子的寬度。

所述的刻孔阻擋層與數據線端子和掃描線端子的刻孔部位的孔邊緣相交。

一種陣列基板的制造方法，其特征在于：該制造方法包括步驟如下：

（a）、在襯底基板上形成第一金屬層，由第一金屬層形成掃描線、柵極、以及數據線端子、掃描線端子；

（b）、在第一金屬層上沉積柵極絕緣層；

（c）、在柵極絕緣層上沉積半導體有源層；