1.一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ哂腥缦虏襟E：

(1)采用固相燒結(jié)法制備Bi_1.5Mg_1.0Nb_1.5O₇即BMN靶材和Ba_0.6Sr_0.4TiO₃即BST靶材：

按Bi_1.5Mg_1.0Nb_1.5O₇化學(xué)計(jì)量比，稱取原料Bi₂O₃、MgO和Nb₂O₅，充分混合后壓制成型，于1150℃燒制BMN靶材；

按Ba_0.6Sr_0.4TiO₃化學(xué)計(jì)量比。稱取原料BaTiO₃和SrTiO₃，充分混合后壓制成型，于1350℃燒制BST靶材；

(2)將清潔干燥的Pt-Si襯底放入磁控濺射樣品臺上；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至P<7.0×10^-6Torr，然后加熱襯底至400～700℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用Ar和O₂作為濺射氣體，濺射功率為50～200W，進(jìn)行沉積得到厚度為150-400nm的BMN薄膜層；

(5)待步驟(4)完成后，使用Ar和O₂作為濺射氣體，濺射功率為50～200W，進(jìn)行沉積得到厚度為150-400nm的BST薄膜層；待襯底溫度降至100℃以下時，取出樣品，在氧氣氣氛爐中于700℃進(jìn)行后退火處理；

(6)待步驟(5)完成后，在BST/BMN復(fù)合薄膜上面利用掩膜版制備金屬電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(1)的原料純度均在99％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(4)的Ar和O₂的純度均在99.99％以上，磁控濺射系統(tǒng)中的氧氣和氬氣的分壓比在1/15與1/4之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(4)或步驟(5)通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間控制薄膜厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(5)的氧氣氛爐中通入的氧氣壓強(qiáng)≤0.1Mpa，氧氣純度≥99％；退火時間為5～60min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(6)的電極為圓形電極，直徑為0.2～0.3mm，電極厚度為100～600nm，電極材料為Pt或Au，電極制備方法為磁控濺射法或者蒸鍍法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種BST/BMN復(fù)合薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢苽涞腂ST/BMN復(fù)合薄膜變?nèi)莨艿恼{(diào)諧率≥30％，測試頻率為100KHz；介電損耗<0.005。