[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201410240517.8 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN104022128B | 公開(公告)日: | 2017-02-15 |
| 發明(設計)人: | 楊盛際;董學;王海生;薛海林;劉英明;趙衛杰;劉紅娟;丁小梁;王磊;王春雷 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及觸控技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發展,觸摸屏(Touch?Screen?Panel)已經逐漸遍及人們的生活中。目前,觸摸屏包括的觸摸結構可以分為:互電容觸摸結構和自電容觸摸結構。對于自電容觸摸結構,由于其觸控感應的準確度和信噪比比較高,因而受到了各大面板廠家青睞。
目前,自電容觸摸結構利用自電容的原理實現檢測手指觸摸位置,具體為:在觸摸結構中設置多個同層設置且相互獨立的自電容電極,當人體未觸碰屏幕時,各自電容電極所承受的電容為一固定值,當人體觸碰屏幕時,觸碰位置對應的自電容電極所承受的電容為固定值疊加人體電容,觸控偵測芯片在觸控時間段通過檢測各自電容電極的電容值變化可以判斷出觸控位置。
在自電容觸摸結構中,每一個自電容電極需要通過單獨的引出線與觸控偵測芯片連接,如圖1所示,每條引出線具體包括:將自電容電極1連接至觸摸屏的邊框處的導線2,以及設置在邊框處用于將自電容電極1導通至觸控偵測芯片的接線端子3的周邊走線4。
在具體實施時,由于自電容電極的數量非常多,對應的引出線也會非常多,以每個自電容電極的所占面積為5mm*5mm為例,5寸的液晶顯示屏就需要264個自電容電極,若將每個自電容電極設計的更小一些,則會有更多的自電容電極,那么需要設置更多的引出線。
而且,在設計時,由于為了簡化膜層數量,如圖1所示,一般將引出線中的導線2和自電容電極1同層設置,較多的導線2會造成觸控盲區偏大,其中觸控盲區是指觸控屏中走線集中的區域,在這個觸控盲區內的信號相對比較紊亂,故此稱為觸控盲區,即在該區域內的觸控性能無法保證。
綜上所述,目前的自電容觸摸結構中的觸控盲區偏大,造成包含所述自電容觸摸結構的觸摸屏的觸控性能比較差。
發明內容
本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置,用以解決現有技術中存在的自電容觸摸結構中的觸控盲區偏大的問題。
第一方面,本發明實施例提供一種陣列基板,包括:襯底基板,位于所述襯底基板上的柵極和柵線,位于所述柵極和柵線所在膜層上的有源層;
其中,所述陣列基板還包括:
與所述有源層同層設置且電性絕緣的像素電極;
位于所述有源層和像素電極所在膜層上的漏極、源極和數據線;其中,所述漏極與像素電極直接電性連接;
位于所述漏極、源極和數據線所在膜層上,且與所述漏極、源極、數據線和像素電極電性絕緣的公共電極層和多條導線;
其中,所述導線與所述公共電極層異層設置,所述公共電極層包括多個同層設置且相互絕緣的自電容電極,且每條所述導線通過過孔與對應的自電容電極電性連接。
較佳地,所述導線所在膜層位于所述漏極、源極和數據線所在膜層和所述公共電極層之間。
較佳地,所述漏極、源極和數據線所在膜層和所述公共電極層之間設置有鈍化層;
所述導線所在膜層位于所述鈍化層和所述公共電極層之間;
所述陣列基板還包括:
包含所述過孔的第一絕緣層,位于所述導線所在膜層和所述公共電極層之間;
其中,所述導線通過所述第一絕緣層包含的過孔,與所述自電容電極電性連接。
較佳地,所述柵極和柵線所在膜層與所述有源層和像素電極所在膜層之間設置有柵絕緣層。
較佳地,所述導線所在膜層位于所述公共電極層之上。
較佳地,所述陣列基板還包括:
包含所述過孔的第二絕緣層,位于所述導線所在膜層和所述公共電極層之間;
其中,所述導線通過所述第二絕緣層包含的過孔,與所述自電容電極電性連接。
較佳地,所述導線在所述襯底基板上的正投影位于所述數據線在所述襯底基板上的正投影內;和/或
所述導線在所述襯底基板上的正投影位于所述柵線在所述襯底基板上的正投影內。
較佳地,將所述導線作為在顯示掃描時間內向所述公共電極層供電的公共電極線使用。
第二方面,本發明實施例提供一種顯示裝置,包括:本發明實施例中所述的陣列基板。
第三方面,本發明實施例提供一種制作所述的陣列基板的方法,包括:
在襯底基板上形成所述柵極和柵線;
在所述柵極和柵線所在膜層上形成同層設置且電性絕緣的所述有源層和像素電極;
在所述有源層和像素電極所在膜層上形成所述漏極、源極和數據線;其中,所述漏極與像素電極直接電性連接;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





